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W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC
被引量:
3
1
作者
戈勤
徐波
+4 位作者
陶洪琪
王维波
马晓华
郭方金
刘宇
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期24-29,共6页
采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网...
采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网络,实现较高的增益和较高的输出功率。同时,该放大器通过由1/4波长微带线构成的直流偏置网络进行片上集成设计,实现全单片集成。测试结果表明,当工作电压为15V时,该放大器芯片在88~98GHz范围内,典型小信号增益为20dB,连续波状态下饱和输出功率大于250mW。在98GHz下,芯片实现最大输出功率为405mW,功率增益为13dB,功率附加效率为14.4%。因此,该GaN功率放大器芯片输出相应的最大功率密度达到3.4W/mm。
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关键词
GAN高电子迁移率晶体管
W波段
功率放大器
微带线
微波单片集成电路
下载PDF
职称材料
题名
W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC
被引量:
3
1
作者
戈勤
徐波
陶洪琪
王维波
马晓华
郭方金
刘宇
机构
南京电子器件研究所
西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院
中国科学成都文献情报中心
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期24-29,共6页
基金
国家自然科学基金(61474101)
文摘
采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网络,实现较高的增益和较高的输出功率。同时,该放大器通过由1/4波长微带线构成的直流偏置网络进行片上集成设计,实现全单片集成。测试结果表明,当工作电压为15V时,该放大器芯片在88~98GHz范围内,典型小信号增益为20dB,连续波状态下饱和输出功率大于250mW。在98GHz下,芯片实现最大输出功率为405mW,功率增益为13dB,功率附加效率为14.4%。因此,该GaN功率放大器芯片输出相应的最大功率密度达到3.4W/mm。
关键词
GAN高电子迁移率晶体管
W波段
功率放大器
微带线
微波单片集成电路
Keywords
GaN high electron mobility transistor
W-band
power amplifier
micro-strips
monolithic microwave integrated circuit
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC
戈勤
徐波
陶洪琪
王维波
马晓华
郭方金
刘宇
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
3
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职称材料
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