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Over-plating工艺过程的变网格数值模拟(英文)
被引量:
1
1
作者
朱学林
王翔
褚家如
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1293-1299,共7页
考察了over-plating工艺中不同线距、线宽条件下的电沉积规律。利用数值模拟方法对图形结构轮廓和电沉积速度之间的相互影响进行了分析,同时采用变网格方法来适应电沉积过程中结构轮廓的不断变化。数值模拟结果表明:当线距/线宽较大( &g...
考察了over-plating工艺中不同线距、线宽条件下的电沉积规律。利用数值模拟方法对图形结构轮廓和电沉积速度之间的相互影响进行了分析,同时采用变网格方法来适应电沉积过程中结构轮廓的不断变化。数值模拟结果表明:当线距/线宽较大( >12)时,相邻图形的电沉积速度受到的影响很小,图形的横向和纵向的电沉积速度逐渐趋于一致;而当线距/线宽较小( <6)时,相邻电沉积图形之间相互影响显著,线距/线宽越小,纵向电沉积速度和横向电沉积速度之比越大,因此相邻电沉积图形中间区域可能产生空洞,从而出现电镀缺陷的情形。对于上述工艺缺陷,可以通过增加辅助导电层进行消除,实验结果表明效果良好。
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关键词
over—plating
UV—LIGA
变网格
模具
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职称材料
题名
Over-plating工艺过程的变网格数值模拟(英文)
被引量:
1
1
作者
朱学林
王翔
褚家如
机构
中国科学技术大学光学精密机械与精密仪器系
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1293-1299,共7页
基金
Supported by the National Hi-Tech Research and Development Program of China(863 Program)(Grant No .2006 AA04Z311)
K.C.Wong Education Foundation,Hong Kong
文摘
考察了over-plating工艺中不同线距、线宽条件下的电沉积规律。利用数值模拟方法对图形结构轮廓和电沉积速度之间的相互影响进行了分析,同时采用变网格方法来适应电沉积过程中结构轮廓的不断变化。数值模拟结果表明:当线距/线宽较大( >12)时,相邻图形的电沉积速度受到的影响很小,图形的横向和纵向的电沉积速度逐渐趋于一致;而当线距/线宽较小( <6)时,相邻电沉积图形之间相互影响显著,线距/线宽越小,纵向电沉积速度和横向电沉积速度之比越大,因此相邻电沉积图形中间区域可能产生空洞,从而出现电镀缺陷的情形。对于上述工艺缺陷,可以通过增加辅助导电层进行消除,实验结果表明效果良好。
关键词
over—plating
UV—LIGA
变网格
模具
Keywords
over-plating
UV-LIGA
deformed mesh
mold insert
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Over-plating工艺过程的变网格数值模拟(英文)
朱学林
王翔
褚家如
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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