H_2S硫化CuInSe_2生成CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的XRD及Raman分析

将CuInSe_2薄膜在H_2S与Ar的混合气体中硫化是制备CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的一种常用方法。硫化所用到的CuInSe_2薄膜是用溶剂热法生成的CuInSe_2纳米颗粒旋涂而成。不同于其他真空条件下制备CuInSe_2薄膜的方法.溶剂热法的优点是其相对简单的制备工艺和较低廉的成本。对硫化过程进行研究后发现,硫化温度和时间直接影响CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的质量,诸如薄膜成分、结晶度、均匀性和带隙宽度都可以通过改变这些实验条件来进行控制。