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PCVD法制备ZrO_2和YSZ薄膜 被引量:9
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作者 喻维杰 张裕恒 +2 位作者 彭定坤 孟广耀 曹传宝 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1993年第12期1164-1169,共6页
以金属β-二酮类有机螯合物Zr(DPM)_4和Y(DPM)_3为挥发性源物质,采用微波等离子体化学气相淀积法于较低的温度下(420~560℃)成功地在多孔α-Al_2O_3陶瓷、非晶玻璃等衬底上制备出致密的ZrO_2和YSZ薄膜材料。XRD分析结果表明,纯ZrO_2薄... 以金属β-二酮类有机螯合物Zr(DPM)_4和Y(DPM)_3为挥发性源物质,采用微波等离子体化学气相淀积法于较低的温度下(420~560℃)成功地在多孔α-Al_2O_3陶瓷、非晶玻璃等衬底上制备出致密的ZrO_2和YSZ薄膜材料。XRD分析结果表明,纯ZrO_2薄膜中除了单斜相外还存在着亚稳态的四方相。当掺入的Y_2O_3摩尔百分含量大于或等于7%时,ZrO_2完全被稳定成立方相。SEM观察表明,在等离子体内的不同区域中生成的薄膜形貌有所不同。XPS检测了YSZ薄膜中Zr3d_(5/2)和Zr3d_(3/2)的电子结合能,发现较ZrO_2的标准值低0.7eV。由TEM观察和由XRD衍射蜂半宽度计算,所制备的ZrO_2和YSZ薄膜中微晶粒径在10nm左右。 展开更多
关键词 PCVD法 氧离子导体 氧化锆 薄膜
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