二维磁结构的扫描隧道显微术研究

文章介绍了近年来利用扫描隧道显微术 (STM)对表面和薄膜磁结构的研究进展 .二维或表面磁结构可以通过在非磁性单晶上外延磁性单原子层薄膜形成 ,也可以在清洁的磁性单晶表面形成 .利用磁性的STM针尖可以观测到原子分辨的表面磁结构 .这将增进人们从纳米尺度对磁性的理解 ,并推动磁电子学的发展 .

还原热解催化合成金刚石新法

ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＤｉａｍｏｎｄｆｒｏｍａＮｏｖｅｌＲｅｄｕｃｔｉｏｎ┐Ｐｙｒｏｌｙｓｉｓ┐ＣａｔａｌｙｓｔＲｏｕｔｅ１．论文名称ＡＲｅｄｕｃｔｉｏｎ－Ｐｙｒｏｌｙｓｉｓ－ＣａｔａｌｙｓｔＳｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆＤｉａｍｏｎｄ２．发表刊物Ｓｃｉｅｎｃｅ...

4-氯苯酮的简便合成方法(英文)

提出一种简便合成4-氯苯酮的方法。在50℃反应条件下,通过傅氏反应可得产率为96%的产物。同时给出了该化合物的光谱数据。

金属玻璃Pd_(79.5)Ni_4Si_(16.5)结晶化过程的慢正电子束研究

首次用单能慢正电子束研究金属玻璃的晶化过程。测量了金属玻璃Pd_(79.5)Ni_4Si_(16.5)淬火态、结构弛豫和结晶化状态样品的正电子湮没辐射多普勒展宽能谱与正电子入射能量的函数关系,结果表明,淬态金属玻璃Pd_(79.5)Ni_4Si_(16.5)中存在大量的空位型缺陷,其结晶化过程最先开始于表面层。单能慢正电子束是研究金属玻璃晶化过程的有效手段。

La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_z薄膜的巨磁电阻效应及其温度关系的研究

在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_2薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在T_p=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度T_p要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/R_H=(R_0-R_H)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了.

掺Y对PbWO_4闪烁体的热释光影响

研究了纯PbWO4 和PbWO4 :Y晶体经γ射线辐照和可见光光照前后室温以上的热释光 .发现大剂量辐照后掺Y可以有效地抑制热释光的强度并使热释光峰移向高温 ,说明掺Y有利于提高光输出的稳定性 .可见光光照也会影响热释光并可以产生新的热释光峰 ,这可能是由于光释电子 (或空穴 )被浅陷阱重新俘获或是光照后产生了新型色心的结果 .

ISNet—严格的多维NMR谱解析理论（Ⅱ）

ＩＳＮｅｔ（独立自旋偶合网络，ＩｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔＳｐｉｎＣｏｕｐｌｉｎｇＮｅｔｗｏｒｋ）是作者为了严格地从多维ＮＭＲ谱推导出溶液状态中复杂有机物的分子结构而建立的新概念。从数学上讲，ＩＳＮｅｔ可被视为分子结构连接性的另一种表达形式，是一种图论表达。与分子结构图的共价键表达不同之处在于，ＩＳＮｅｔ中的每一条边在理论上是二维ＮＭＲ谱图上的一个可观察的峰。本文建立ＩＳＮｅｔ概念，并讨论从实验波谱，运用ＩＳＮｅｔ分析理论导出各类分子结构的原理及其图论、模糊数学基础。

ISNet－严格的多维NMR谱解析理论（I）

ＩＳＮｅｔ（独立自旋偶合网络，ＩｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔＳｐｉｎＣｏｕｐｌｉｎｇＮｅｔｗｏｒｋ）是作者为了严格地从多维ＮＭＲ谱推导出溶液状态中复杂有机物的分子结构而建立的新概念。从数学上讲，ＩＳＮｅｔ可被视为分子结构连接性的另一种表达形式，是一种图论表达。与分子结构图的共价键表达不同之处在于，ＩＳＮｅｔ中的每一条边在理论上是二维ＮＭＲ谱图上的一个可观察的峰。本文建立ＩＳＮｅｔ概念，并讨论从实验波谱，运用ＩＳＮｅｔ分析理论导出各类分子结构的原理及其图论、模糊数学基础。

La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_(3-δ)薄膜中磁致电阻温度关系的一种经验描述

在不同磁场H下 ,在 30 0～ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3 -y薄膜的电阻率 ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述 :ρ(T) =1σ(T) =1α(M/Ms) 2 + βexp( -E0 /kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化 ,E0 为磁极化子热激活能 ,约等于 1 1 6 0kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得 。

La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z薄膜中的巨磁阻比的幂指数磁场关系

<正>由于氧化物巨磁阻薄膜具有十分巨大的巨磁阻效应,因而越来越受到了人们的重视.然而其巨磁阻产生的机理却至今仍不甚清楚,有关这方面的研究显得迫切需要.在多层膜或颗粒膜中其巨磁阻产生的本质通常被理解为一种自旋相关的表面散射的结果.若磁阻比定义为MR=Δρ/ρO=(ρO-ρH)/ρO,其中ρO为零场下的电阻率,ρH为磁场H时的电阻率,则在铁磁转变温度以下MR与磁化强度M之间应该有如下的关系:MR(T,H)=[ρ(O,T)-ρ(H,T)]/ρ(O,T)=A(T)F[│M/M_S│~2],(1)其中M_S为饱和磁化强度,F是│M/M_S│~2的单调函数其值介于0与1之间,当M→0时,F[│M/M_S│~2]=0,而当M→M_S时,F[│M/M_S│~2]=1,(1)式中的A(T)只是一个与温度有关的函数.由该式可以得到如下两个结论:首先,MR的温度关系应该是由(1)式中的A(T)的温度关系来决定,与磁场无关,也即MR(H1,T):MR(H2,T)应该为一常数;其次,对于某一特定的温度,MR(T,H)=CF[│M/M_S│~2],其中C为常数,由此决定了MR的磁场依赖关系.本文将对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z巨磁阻薄膜中的MR的温度关系和磁场关系作一较详细的实验研究.1