基因芯片检测HBV DNA聚合酶区基因多态性

目的 :建立基因芯片检测HBVDNA聚合酶区基因多态性。方法 :PCR扩增HBVDNAP区nt45 5～ 796片断 ,与预制的基因芯片杂交 ,运用激光共聚焦荧光检测系统扫描芯片分析基因突变类型。结果 :芯片检测HBVDNAP区变异具有较好的特异性和准确性 ;初步应用显示 :慢性乙肝组nt5 2 8和nt5 5 2位点突变率分别为 8.6%和 9.6% ,而无症状肝炎组和重症肝炎组突变率均为 0 ;拉米夫定治疗组与非拉米夫定治疗组比较 ,nt5 2 8突变率分别为 10 .5 %和 8.1% ,nt5 5 2突变率分别为 15 .8%和 8.1%。结论 :HBVDNA聚合酶区基因多态性分布与病情轻重无关 ,而与病程慢性迁延有关 ;拉米夫定在耐药突变中发挥了重要作用 ;基因芯片检测乙肝患者耐药基因有其临床应用价值。

芯片检测HBV DNA聚合酶区基因突变及其临床应用

目的 基因芯片方法检测 HBV DNA聚合酶区基因突变 ,并初步探讨其临床应用价值。方法 PCR扩增 HBV DNA P区 nt45 5～ 796片断。与预制的基因芯片杂交 ,运用激光共聚焦荧光检测系统扫描芯片分析基因突变类型。结果 芯片检测 HBV DNA P区变异具有较好的特异性和准确性 ,初步应用显示 :慢性乙肝组 aa5 2 8/5 5 2突变率分别为 8.6%和 9.6% ,而无症状肝炎组和重症肝炎组突变率均为 0 ;拉米夫定治疗组与非拉米夫定治疗组比较 ,aa5 2 8突变率分别为 1 0 .5 %和 8.1 % ,aa5 5 2突变率分别为1 5 .8%和 8.1 %。结论 研究显示 HBV DNA聚合酶区基因多态性分布与病情轻重无关 ,而与病程慢性迁延有关 ;拉米夫定在耐药突变中发挥了重要作用 ;

超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性

随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入,学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections,HCI)所引起的可靠性问题日益关注.本文研究了超短沟道长度(L=30—150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulator,SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理.研究结果表明,在超短沟道情况下,HCI应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻.通过研究不同栅长器件的恢复特性可以看出,该现象是由于随着沟道长度的减小,HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大而导致的.此外,本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶体管(Fin FET)中的结果相反.因此,在超短沟道情况下,SOI平面MOSFET器件有可能具有比Fin FET器件更好的HCI可靠性.

芯片显色法检测HBV基因多态性临床应用

目的用芯片显色法检测HBV DNA在前C/C区、BCP区、P区基因突变来探讨拉米夫丁使用与HBV基因多态性关系。方法用含有HBV DNA前C区1896、1814和BCP区1762、1764以及P区552位点突变信息的探针芯片与HBV DNA杂交,采用显色方法判断结果,检测184例乙型肝炎患者HBV基因多态性,并将拉米夫丁治疗组和非拉米夫丁治疗组HBV基因多态性进行比较。结果184例乙肝患者中,前C区1896、1814和BCP区1762、1764以及P区552位点的突变率分别为28.8%、22.2%、25.5%、29.8%和7.0%;拉米夫丁治疗组和非拉米夫丁治疗组P区552位突变率分别为44.4%和8.7%。结论乙肝患者HBV DNA前C区和BCP区的突变与肝炎慢性化、肝硬化以及HBeAg表达有关;拉米夫丁的使用在HBV DNA P区基因突变中起重要作用。