期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜
1
作者
周斌
孙骐
+4 位作者
韩明
熊斌
吴广明
黄耀东
沈军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期47-50,共4页
研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究。在自截止腐蚀 工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0μm左右,网格尺寸为25μm×25 μm,或条状线宽为5μm的Si刻蚀膜;测量...
研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究。在自截止腐蚀 工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0μm左右,网格尺寸为25μm×25 μm,或条状线宽为5μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌 的影响。并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息。
展开更多
关键词
像传递函数
离子束刻蚀
Si刻蚀膜
下载PDF
职称材料
题名
XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜
1
作者
周斌
孙骐
韩明
熊斌
吴广明
黄耀东
沈军
机构
同济大学波耳固体物理研究所
中国科学院上海冶金所传感器国家重点联合实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期47-50,共4页
基金
国家863计划项目资助课题
同济大学理科发展基金资助课题
文摘
研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究。在自截止腐蚀 工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0μm左右,网格尺寸为25μm×25 μm,或条状线宽为5μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌 的影响。并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息。
关键词
像传递函数
离子束刻蚀
Si刻蚀膜
Keywords
Charge coupled devices
Etching
High power lasers
Morphology
Optical transfer function
Scanning electron microscopy
分类号
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜
周斌
孙骐
韩明
熊斌
吴广明
黄耀东
沈军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部