离子束合成Ti-O薄膜对热解碳生物材料表面改性的研究

采用离子束增强沉积在低温各向同性热解碳表面进行了Ｔｉ－Ｏ薄膜合成研究，获得了化学计量比及非化学计量比的ＴｉＯ２薄膜，采用动态凝血时间测定、血小板粘附行为研究、全血动态接触研究、溶血率测定等方法进行了血液相容性评价，用声发射薄膜结合力测定、针盘磨损试验及显微硬度分析研究了热解碳表面薄膜的力学性质。研究表明，经Ｔｉ－Ｏ薄膜沉积，热解碳的血液相容性和表面力学性质获得了改善，提出了血液相容性机理模型。

大剂量P^＋离子注入单晶硅的研究

采用４８０ｋｅＶＰ＋离子注入单晶硅，注入剂量为１×１０１６ｃｍ－２。采用ＲＢＳ、ＴＥＭ技术测试样品，发现样品经６００℃退火后，距样品表面约２４０ｎｍ处有一条低密度缺陷带。研究表明，这一现象与Ｐ＋的剂量及退火温度有关。

氮离子注入形成SOI结构的外延研究

用大束流(50μA/cm^2)、高剂量(1.8×10^(18)/cm^2)的190keV N^+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N^+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.

金刚石薄膜电子场发射研究进展

综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。

Ti-O/Ti-N复合薄膜的离子束合成及人工心脏瓣膜材料表面改性研究

采用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）等方法在热解碳、钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ、Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分、结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。结果表明：合成薄膜具有优于热解碳的血液相容性和力学性能，提出了材料的血液相容性机理模型。

硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究

采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge SiO2 薄膜、非晶Si SiO2 薄膜和非晶AlSiO复合薄膜 ,分析了样品的结构 ,研究发现 3类样品均存在较强的光吸收 ,对于Ge SiO2 薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象 ,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的。而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象 。

硅中注As_2^+和As^+引起损伤的比较

本文比较了室温下每原子质量单位能量相同的As_2^+和As^+注入(100)Si所引入的辐射损伤。结果表明,As_2^+注入引入的辐射损伤大于As^+注入的辐射损伤,损伤增强因子N_D(mol)/2N_D(atom)在5keV/atom至250keV/atom注入能量范围内随入射离子的能量的增大而增加。

F^＋＋B^＋双注入浅结研究

对不同条件的Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品和对应能量的Ｂ＋和ＢＦ２＋注入样品，作１１００℃．１０秒的瞬时热退火，然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深．结果显示，用１×１１５／ｃｍ２的Ｆ＋预注入能有效地抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应，获得陡直的浅结．对样品的结特性测试表明，Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品的结漏电与Ｂ＋注入样品一致，小于对应能量的ＢＦ２＋注入样品．ＲＢＳ／Ｃ分析表明，只要在材底近表面附近单晶中有高浓度的间隙原子区，就能抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应。

金属及合金中射程参数的研究

本文应用金属中Wigner-Sietz(W-S)半径数据和引入等效电荷概念,结合Ziegler的质子注入数据,导出了计算重离子注入各种金属中的电子阻止本领S_c(E)的公式,计算结果与文献中的实测值结果甚为一致。同样,应用合金中的W-S半径,导出了适用于合金硼化物和CsCl型合金的S_c(E)计算公式。计算结果表明,公式对单硼或二硼化合物符合得较好,而对一些复杂结构的合金以及Cr_5B_3和W_2B_5是不适合的。对CsCl型合金,S_c(E)对Bragg定律的偏离系数γ和合金中电荷转移量成正比,后者越大表明金属键越强,则合金对离子的阻止本领越大,这与实验结果是吻合的。合金中两元素在同一周期中位置相差越远,这种趋势越明显。不同周期元素组成的合金更加强了这种趋势。

金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究

以CW Ar^+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40μm^2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。

Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火

利用连续Ar^+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd_2Si/GaAs(6.9×10^(17)cm^(-3))接触,得到了比接触电阻率为2.75×10^(-6)Ω·cm^2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接触具有良好的热稳定性。