Si^＋注入InP材料的欧姆接触特性研究

本文报道Ｓｉ＋注入ＩｎＰ材料与ＡｕＧｅＮｉ合金和Ｗ金属膜的欧姆接触特性．发现Ｓｉ＋单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触，共Ｐ＋注入的样品中比接触电阻则大大下降（约小一个数量级）．卢瑟福背散射分析表明，６００℃热处理后Ｗ金属膜与ＩｎＰ界面作用很小，而８００℃热处理后界面有一定的互扩散．

GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究

采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和 5nm非掺杂隔离层 ,器件流片中采用湿法化学腐蚀制作台面结构。测试结果表明该类器件具有良好的结特性 ,在集电极电流密度 2 80 A/cm2时其共发射极电流增益达 32 0。由此说明非掺杂隔离层的引入有效地抑制了由于基区 Be扩散导致的 pn结与异质结偏位及其所引起的器件性能劣化。

Zn铁氧体纳米晶的磁性及微结构研究

通过高能球磨方法由α-Fe2O3+ZnO混合粉体制得的Zn铁氧体纳米晶具有非正型分布的尖晶石结构,表现为亚铁磁性,其比饱和磁化强度σs=16.4emu/g。通过适当的热处理可以使Zn铁氧体的结构向正型分布转变;使其磁性向顺磁性转变。

多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

利用固相反应法制备了多晶立方结构的La－Pb－Mn－O体材料．材料的铁磁相变温度Tc为257K，其金属－半导体转变温度Tp为251K．外加磁场分别为5T和13T时，材料的巨磁电阻（GMR）峰值分别达到72％和85％．在77K～室温的温度范围内，材料都具有GMR效应，Tp附近具有GMR峰值效应．GMR效应与自旋极化子行为有关，而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外，与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关．另外，多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内，尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献．在Tp处；晶粒间自旋极化隧道效应被抑制，导致低场GMR效应的消失．

用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料

用固态源分子束外延方法，在 ＧａＳｂ衬底上成功地生长出四元系 Ⅲ—Ｖ族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料，并用这些材料制备了 ２μｍ波段室温准连续奔波导 ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱。

SOI材料与器件的辐照效应

目前，ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路，本文以ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）技术为主，详细论述了ＳＯＩ材料和器件（ＭＯＳＦＥＴ）的辐照特性及其机理，包括总剂量、瞬时和单粒子效应，并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺和优化设计，可以制造出优良的抗辐照集成电路。

新型Fe-Mn-Al-Cr合金的组织及耐酸性能的研究

设计了几种不同铬质量分数和铝质量分数的Fe Mn Al Cr合金 ,将以前设计的Fe 2 5 .65Mn 4 .1Al 4 1 3Cr和 1Cr1 8Ni9Ti作为对比试样。金相观察结果表明 :当锰质量分数降到 1 5 %时合金仍能呈单相奥氏体 ,但当铬铝达到一定值时出现铁素体。应用阳极极化技术和失重法研究了各种合金在 0 .5mol/LH2 SO4 和 1mol/LHNO3中的耐腐蚀性能 ,结果表明 :随铬质量分数的增加 ,合金的耐酸性能先提高后降低 ;随铝质量分数的增加 ,合金的耐酸性能下降。钼在硝酸中大大提高了合金的耐腐蚀性 ,而在硫酸中作用不大 ;降低锰铝并适当升高铬质量分数既可得到更好耐酸性能的合金又降低了成本 ,经钝化后的Fe Mn Al Cr合金的耐硝酸性能比 1Cr1

Sol-Gel V_2O_5薄膜的成膜和取向研究

采用溶胶 -凝胶法在SiO2 /Si衬底上沉积V2 O5薄膜 ,详细介绍了对衬底表面作亲水处理的方法。以不同浓度溶胶 ,在不同温度和不同气氛下对薄膜进行热处理 ,得到以〈0 0 1〉向为主取向的高取向薄膜 ,从理论上解释了V2 O5薄膜的取向机理 。

PbTiO_3和PZT凝胶团聚的分形研究

利用TEM、图象处理以及分形方法得出PbTiO3和PZT凝胶团聚的分形维数Df．结论是：Df与溶胶成膜连续性有关；Df大的溶胶制备薄膜的连续性好，无机盐含量的增加可能引起Df减小。

SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理．Ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现良好的铁电性．

钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

在室温下，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征；采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相；而采用常规退火和快速退火相结合的方法，较好地解决了杂相出现的问题，得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明，室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。

β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料

本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性．

O^+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究

研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重，而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。

SIMOX材料隐埋氧化层中针孔密度的表征和形成机理定性分析

ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料中隐埋氧化层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的针孔漏电可使器件完全失效．本文用ＣｕＳＯ４电解电镀法测定了不同工艺条件制备的ＳＩＭＯＸ材料ＢＯＸ中的针孔密度，并用改进的二维ＩＲＩＳ程序定性分析了引起针孔的杂质临界颗粒尺寸．

Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究

用超高真空电子束蒸发方法成功制备了以不同厚度Ｆｅ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治巨磁电阻样品，与以Ｃｒ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治巨磁电阻样品比较，样品的矫顽力大大减小，因而样品的磁灵敏度有了较大地提高。当Ｆｅ过渡层的厚度为７ｎｍ时样品的磁电阻值最大。另外，温度更强烈地影响以Ｆｅ为过渡层样品的磁电阻值，在７７Ｋ下样品的磁电阻曲线表现出明显的不时称性，它来源于低温下ｆｃｃ Ｆｅ过渡层的反铁磁性转变。

Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分别在 4 50℃和 3 50℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4 OH :H2 O2 :H3PO4 :H2 O体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层。采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF2 双层复合减反射层。测试结果表明 ,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了明显提高。

Fe_xMn_(1-x)合金电子结构及其磁性的理论研究

采用第一性原理的线性缀加平面波(LAPW)的理论计算方法,对Pe_xMn_(1-x)(x=1,0.75,0.5,0.25,0)合金体系的电子结构与磁性进行了理论研究,并与实验进行了比较。结果表明,bcc结构的Fe_(0.75)Mn_(0.25)合金为铁磁性,而fcc结构的Fe_(0.5)Mn_(0.5)和Fe_(0.25)Mn_(0.75)合金为反铁磁性,而且在铁磁性区域,理论计算磁矩的大小与实验值符合得很好。

硅中注H^+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析

将中等剂量的H+注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构进行了分析。研究表明，智能剥离SOI是一种可通过较简单的工艺获得高质量SOI材料的新途径。

退火气氛对掺银TiO_2薄膜结构和光催化性能的影响

本文采用sol-gel法制备了掺银的TiO_2/glass纳米光催化薄膜,并分别在空气和真空条件下对薄膜进行退火处理.结构和光催化性能的测试结果表明,退火气氛对薄膜的结构和薄膜对染料溶液的光催化降解效率都有影响.经真空退火处理的TiO_2及Ag-TiO_2薄膜较空气中退火处理的同样薄膜的光催化性能都低,但适量掺银的Ag-TiO_2薄膜的光催化活性较TiO_2有不同程度的增强.

氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性

氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究的热点之一。本文综述了V2 O5和VO2 薄膜电学性能与薄膜组分和结构的相关性 。