用扫描质子探针与中子活化分析方法研究微量铂赋存状态

用中子活化分析确定四川新街铂矿的矿化特征，用扫描质子探针作铂的微区分布研究。首次在该矿原位找到微米粒度的砷铂矿物．结果表明，新街铂矿为富铂钯型铂矿，微量铂主要以砷铜矿物独立存在．

团簇沉积C-N薄膜的研究

利用荷能团簇沉积装置在高阻硅 ( 111)衬底上沉积了碳氮薄膜。通过红外光谱、拉曼谱和X光电子能谱对薄膜的结构和化学组分进行了分析。结果表明 ,薄膜中存在N -sp3C( β -C3N4 的键合方式 ) ,但以N -sp2 C和C =C双键的结合方式为主。

地质样品扫描质子探针元素分布图的本底值剔除研究

建立了一个简便、可靠的扫描质子探针元素分布图本底值剔除方法，编制了逐点本底计数值剔除计算程序。结合实际地质样品的扫描质子探针元素分布成图，对方法的有效性做了对比实验。结果表明，与传统的成图方法相比，新方法具有图像清晰、真实的优点。同时讨论了方法的误差和误差的减小途径。

荷能团簇束成膜的表面迁移和附着特性的研究

研究了不同能量的团簇碰撞有机物（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）衬底形成的表面形貌。结果表明，团簇能量的增大，增加了团簇原子在基片表面的有效碰撞能和迁移力，也改善了沉积薄膜的附着性、致密性、平整性等。特别是有机物上修饰条纹的出现，是迁移力增加的有力证据。

GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究

用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。

硅基材料芯片的组合离子束合成及分析

用组合技术和离子束技术相结合的方法进行了硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元－材料芯片，并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）、质子弹性散射（ＰＥＳ）和扫描阴极射线发光（ＣＬ）特性分析。组合离子束技术的应用将大大提高材料研究的效率。

铁氮化合物Fe_(x)N(x≈2)的穆斯堡尔研究

在不同组成比的高纯 Ａｒ和 Ｎ２气氛下，用 ＲＦ溅射纯铁制备成不同含氮量的 ＦｅｘＮ（１．６＜ｘ＜２．２）。用质子深度弹性散射对样品中的Ｆｅ、Ｎ、Ｏ、Ｃ进行分析，Ｘ光电子谱仪用于鉴定铁的氧化程度。采用穆斯堡尔效应测量室温时和经２００、２５０、３００℃退火的样品。对照Ｘ衍射实验结果表明，在铁的化学计量接近２时，随氮气氛的增加，或者经退火处理后，其相结构会从正交结构的 ζ－Ｆｅ２Ｎ向密堆六方结构的。ε－Ｆｅ２Ｎ或准ＺｎＳ相结构转化。在ε－Ｆｅ２Ｎ相中铁原子的第一近邻呈现贫氮或富氮的现象。

用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延

用时间分辨反射率技术实时测量了Ｓｉ＋、Ａｓ＋注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度，并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理，分析了实验结果．

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .

碰撞能量对荷能团簇碰撞沉积TiN薄膜的结构、形貌及摩擦学特性的影响

在室温下，以硅（１００）为衬底，在不同的衬底偏压（即团簇不同碰撞能量）的条件下，用荷能团簇碰撞沉积方法制备了ＴｉＮ薄膜。用原子力显微镜和Ｘ射线衍射等技术对ＴｉＮ薄膜的表面形貌和结构进行了研究，并且在维式硬度计和ＳＲＶ微动摩擦磨损试验机上对其摩擦学性能进行了考察。结果表明，在低的偏压情况下，团簇比较松散地堆积在衬底上；而在高偏压时团簇和衬底碰撞破碎，形成附着力强、致密性好及表面非常光滑的薄膜；在一定的偏压范围内，ＴｉＮ薄膜是（２２０）择优取向，ＴｉＮ薄膜具有较高的硬度、较低的摩擦系数和较好的耐磨损性能。

离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .

组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究

用分子束外延系统 (MBE)生长了GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱 (ACDQW ) ,采用组合注入质子的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入剂量的GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱单元 ,没有经过快速热退火的过程 ,在常温下测量了不同注入剂量量子阱单元的显微光荧光谱和光调制反射光谱 ,发现了各区域子带间跃迁能量最大变化范围达到 81meV .由于样品未作高温热退火处理 ,为此由Al组分误差函数模型推导的扩散长度要大大高于扩散系数公式 .耦合量子阱的界面混合效应对于质子注入非常敏感 .

扫描质子探针元素分布图本底剔除的一种简便方法

目前,常规的扫描质子探针元素分布成图方法采用的是能量窗总计数法,即TCEW法,它的一个致命弱点就是没有剔除本底计数.因为在元素能量窗内的总计数中,不但包含元素特征X射线计数,同时也包含本底计数.本底计数受样品基体影响甚大.所以,对于基体成分变化较大的复杂样品,如岩石矿石样,TCEW法得到的元素图有时会严重失真.因此,国际上一些一流核探针实验室相继开展了真实元素图方法研究.在真实元素图方法研究中,本底值的剔除是需要解决的关键问题.本文采用一个简便、稳健的逐点本底剔除算法,在中国科学院核分析开放实验室建立了能量窗净计数(NCEW)法元素成图程序系统,并在地质样品的应用中取得良好效果.