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用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延
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作者 王小兵 朱福英 +2 位作者 潘浩昌 曹德新 朱德彰 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第8期471-475,共5页
用时间分辨反射率技术实时测量了Ｓｉ＋、Ａｓ＋注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度，并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理，分析了实验结果．
关键词 离子注入 固相外延 反射率 硅
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