介绍了一种基于高性能SOC(System on Chip)C8051F020的微流控芯片多功能控制系统,它针对不同芯片管道结构可以实现灵活多样的控制,同时系统还可采用外部接触法对微芯片温度进行实时PID模糊监控。系统是基于高性能C8051内核,外围扩展出I/...介绍了一种基于高性能SOC(System on Chip)C8051F020的微流控芯片多功能控制系统,它针对不同芯片管道结构可以实现灵活多样的控制,同时系统还可采用外部接触法对微芯片温度进行实时PID模糊监控。系统是基于高性能C8051内核,外围扩展出I/O、A/D、D/A、通信等功能模块,与PC和触摸屏构成了一套完整的多功能微芯片电泳控制系统。系统可灵活设定微芯片的电泳进样分离时间及电压,并且采用光耦隔离I/O实现高压隔离,双级继电器以实现高压无缝极间切换,具有较高的智能自动化。展开更多
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶...为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.展开更多
文摘介绍了一种基于高性能SOC(System on Chip)C8051F020的微流控芯片多功能控制系统,它针对不同芯片管道结构可以实现灵活多样的控制,同时系统还可采用外部接触法对微芯片温度进行实时PID模糊监控。系统是基于高性能C8051内核,外围扩展出I/O、A/D、D/A、通信等功能模块,与PC和触摸屏构成了一套完整的多功能微芯片电泳控制系统。系统可灵活设定微芯片的电泳进样分离时间及电压,并且采用光耦隔离I/O实现高压隔离,双级继电器以实现高压无缝极间切换,具有较高的智能自动化。
文摘为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.