防锈油膜失效过程中的导电行为转变

采用电位 -电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为 .研究表明 ,防锈油膜失效过程中存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的 p型半导体转变为n型半导体 ,防锈油膜逐渐出现两个空间电荷过渡层 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA)的密度 .

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|,发现Δ0随浓度增加而增大,|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明,|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.