非致冷双材料红外探测器模拟分析

非制冷双材料红外探测器具有高响应率和低噪声的特点,噪声等效温差接近理论极限。其灵敏度高的基本原理是基于一个比较大的双层材料热膨胀系数和杨氏模量差,通过双材料悬臂结构可以把热转换成机械运动。经过采用ANSYS软件进行有限元模拟,得出材料厚度比与灵敏度、极板位移与电容变化的关系曲线。同时,模拟分析了不同悬臂尺寸的几何模型,得出了相应的优化结构。

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶．经X射线衍射测试，发现晶锭中存在沿（110）晶向生长的大晶粒，可以切出10mm×10mm的单晶片．傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2．5～20μm波段的红外透过率约为61％．通过测可见一红外波段的透射光谱，得出禁带宽度为2．24eV．利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲，观察到0．18ps的THz辐射场分布，相应的频谱分布为5THz．

基于ANSYS悬臂式RFMEMS开关的力学模拟和疲劳分析

用 ANSYS 软件对 RF MEMS 接触悬臂开关模型进行力电耦合分析,比较了几种情况下的驱动电压,讨论了驱动电压与杨氏模量、悬梁的几何尺寸和电极面积的关系。在力电耦合分析的基础上对开关进行了疲劳特性分析,得出了开关的循环使用次数并与实验结果进行了比较,分析了数据差别比较大的原因,改进了测试开关寿命的方法。

〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测

通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶,利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下,利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射-探测到太赫兹波,激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能.

0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3薄膜中自极化效应诱导的稳定热释电系数(英文)

采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3,并研究了其铁电和热释电性质。X射线衍射结果表明薄膜具有高度的(111)择优取向。结果显示,在没有任何极化处理情况下,薄膜具有稳定的热释电系数,达到1.58×10-8Ccm-2K-1。当极化电场高于3倍薄膜的矫顽电场时,薄膜的热释电系数几乎保持不变。撤掉极化电场后,薄膜的热释电系数在10天后仅仅衰减4%左右,远比PZT薄膜稳定。研究发现不同方向极化处理,薄膜的热释电电流具有非对称性,即正向极化时热释电电流随电场增加而增大,负方向极化处理时,热释电电流随电场增加而减小。这些结果显示0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3表现出的优异热释电特性起源于薄膜中的自极化效应。

低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线

在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近 ,远小于在 2 0 0 0Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅 -氧化硅组合衬底 :在 0 33GHz范围 ,插入损耗小于 5dB/ 1.2cm ;33 4 0GHz范围 ,小于 7.5dB/ 1.2cm .

掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 .

〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究

根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.

相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。

LaNiO_3薄膜热稳定性的研究

LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐,它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜,并进行了原位热处理。实验结果表明,在265°C的处理条件下,LaNiO3薄膜表现出不稳定性,晶格中的氧在2h内失去了2.7%。氧的损失对晶格结构没有明显影响,但薄膜的导电性能明显下降,折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。

高度择优取向(111)PbTiO_3薄膜的制备及光学特性

单一取向铁电薄膜是大家长期以来研究的目标之一 ,文中采用组合靶射频溅射在白宝石 (α- Al2 O3)衬底上制备出具有较好的 (111)择优取向的 Pb Ti O3薄膜。从薄膜的光学透射谱计算所得的折射率和波长的关系能够较好地符合单振子模型 ,由此得出了薄膜在 4 0 0～ 2 4 0 0 nm区域的折射率变化 ,在长波极限时薄膜的折射率为2 .5

Hg_(1-x)Cd_xTe的输运行为研究

简要介绍本实验室关于Ｈｇ(１－ｘ)ＣｄxＴｅ的经典输运和量子输运行为的研究。

掺 Te GaSb/AlSb 超晶格的温度变化光致发光谱

本文报导了用分子束外延方法生长的掺ＴｅＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超晶格的温度变化光致发光谱。对于阱宽为９０Ａ。的超晶格样品，根据发光强度与激发功率的关系得出，低温下的复合以辐射复合为主；线型分析显示存在很强的激子声子耦合。本文还讨论了发光淬灭机制。

同时测量光电导响应和少子寿命分布的两个半导体激光器的组合使用

介绍使用两个红外半导体激光器，一束为可调谐Ｐｂ１－ｘＳｎｘＴｅ激光．另一束为ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光，经光学系统均会聚成φ２５０μｍ的小光点，且将二光斑成象在同一位置上．实验测量了光斑的尺寸，最后用此光学系统研究了窄禁带半导体Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的稳态光电导响应和少子寿命分布．