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LBIC技术研究InGaAs线列探测器串音及光敏感区 被引量:5
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作者 吕衍秋 乔辉 +4 位作者 韩冰 唐恒敬 吴小利 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期708-710,共3页
利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区。用分子束外延方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,制备了256×1正照射台面InGaAs线列探测器。测试结果表明,InGaAs线列探测器相邻探测器... 利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区。用分子束外延方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,制备了256×1正照射台面InGaAs线列探测器。测试结果表明,InGaAs线列探测器相邻探测器间没有串音,虽然台面结构周围吸收层已被腐蚀,但因为少数载流子的侧向收集,扩大了有效光敏感区。 展开更多
关键词 激光诱导电流技术 INGAAS 探测器 串音 光敏感区
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超长线列双波段红外焦平面探测器杜瓦封装技术研究 被引量:11
2
作者 李俊 王小坤 +6 位作者 孙闻 林加木 曾智江 沈一璋 范广宇 丁瑞军 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第11期165-171,共7页
针对拼接型短/中波的超长线列焦平面探测器与直线脉管集成耦合的要求,分析了超长线列焦平面杜瓦封装的难点。通过对超长冷平台的温度均匀性、超长冷平台支撑结构、大体积组件杜瓦低热负载、超长线列杜瓦真空寿命等封装技术进行研究,提... 针对拼接型短/中波的超长线列焦平面探测器与直线脉管集成耦合的要求,分析了超长线列焦平面杜瓦封装的难点。通过对超长冷平台的温度均匀性、超长冷平台支撑结构、大体积组件杜瓦低热负载、超长线列杜瓦真空寿命等封装技术进行研究,提出了多点"S"型冷链结合导热层的三维热输出方法,设计了"桥式"两基板的超长冷平台支撑结构,解决了超长冷平台高温度均匀性、集成探测器后低应力及焦深控制、超长线列探测器杜瓦组件的环境适应性、低热负载和长真空寿命等关键技术,成功研制超长线列双波段焦平面探测器制冷组件,并通过一系列空间环境适应性试验验证,试验前后组件性能未发生明显变化,满足工程化应用的要求。 展开更多
关键词 超长线列红外探测器 双波段 杜瓦封装
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利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究 被引量:2
3
作者 张可锋 吴小利 +4 位作者 唐恒敬 乔辉 贾嘉 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期947-950,共4页
室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流检测(LB IC)系统测试了... 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流检测(LB IC)系统测试了平面结InGaAs(P-I-N)探测器芯片的光敏元,证实了有效光敏面扩大的存在。从实验结果看,掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应,是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素,并利用得到的实验数据拟合求出了器件少子的扩散长度。 展开更多
关键词 LBIC技术 INGAAS 探测器 光敏感区
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紫外激光在微细加工技术中的优势研究 被引量:17
4
作者 俞君 曾智江 +1 位作者 朱三根 龚海梅 《红外》 CAS 2008年第6期9-13,40,共6页
本文主要涉及紫外激光加工技术。通过实验,将紫外/红外两种激光设备对材料的加工结果进行比较,发现在特殊材料加工上,紫外激光相对于红外激光,加工边沿更光滑、效率更高。对于用红外透过率较高的材料加工的红外器件来说,紫外激光在加工... 本文主要涉及紫外激光加工技术。通过实验,将紫外/红外两种激光设备对材料的加工结果进行比较,发现在特殊材料加工上,紫外激光相对于红外激光,加工边沿更光滑、效率更高。对于用红外透过率较高的材料加工的红外器件来说,紫外激光在加工中具有明显的优势。 展开更多
关键词 紫外激光 红外激光 红外器件
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LBIC技术研究平面结与台面结InGaAs探测器 被引量:1
5
作者 张可锋 吴小利 +5 位作者 唐恒敬 吕衍秋 乔辉 贾嘉 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期23-27,共5页
室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器的有效光敏元面积扩大的问题越来越突出.本文利用激光诱导电流检测(LBIC)系统测... 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器的有效光敏元面积扩大的问题越来越突出.本文利用激光诱导电流检测(LBIC)系统测试了台面结和平面结InGaAs (p-i-n)探测器芯片的光敏元,证实了有效光敏面扩大的存在.从实验结果看,结区的侧向收集效应是造成台面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素;而掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应,是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素. 展开更多
关键词 LBIC技术 INGAAS 探测器 光敏感区
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红外探测器组件激光封口技术研究 被引量:3
6
作者 孙闻 俞君 +2 位作者 沈一璋 朱三根 王小坤 《红外》 CAS 2010年第9期18-22,共5页
高气密激光封口技术是一种可用于金属管壳的封装技术。它能在高真空环境中使开有小孔的管壳器件实现封口密封,从而使排气工艺与封口工艺同步完成。针对微型管壳的结构和材料特点,研究了激光焊接设备的电流和脉宽与焊接能量的关系以及电... 高气密激光封口技术是一种可用于金属管壳的封装技术。它能在高真空环境中使开有小孔的管壳器件实现封口密封,从而使排气工艺与封口工艺同步完成。针对微型管壳的结构和材料特点,研究了激光焊接设备的电流和脉宽与焊接能量的关系以及电流、脉宽和离焦量对封口质量的影响,得到了柯伐材料的激光封口参数,并将这些工艺参数应用到了红外探测器金属管壳的激光焊接中。测试结果表明,其漏率均优于1×10^(-10)Torr·l/s。 展开更多
关键词 管壳 激光焊接 气密性
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抑制甚长波红外传感器光谱响应非线性效应的研究
7
作者 孔令才 章莲妹 +2 位作者 龚伟 曹光明 龚海梅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2005年第B03期76-79,共4页
甚长波红外传感器响应光谱测量的过程中,探测器以及前置放大器均工作于线性工作区是必要的,否则由傅里叶变换光谱仪(FTIR)测得的响应光谱,在某些情况下仪器信号会发生饱和,从而引起响应光谱畸变,直接影响测试结果以及后续的分析工... 甚长波红外传感器响应光谱测量的过程中,探测器以及前置放大器均工作于线性工作区是必要的,否则由傅里叶变换光谱仪(FTIR)测得的响应光谱,在某些情况下仪器信号会发生饱和,从而引起响应光谱畸变,直接影响测试结果以及后续的分析工作。文中对利用FTIR测量光电探测器响应光谱时,光谱仪信号的饱和问题进行研究,改进了常规测试方法,提高了测试准确度。 展开更多
关键词 傅里叶光谱仪 探测器饱和 前置放大器 响应光谱
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超大面阵红外焦平面探测器杜瓦热机结构研究(内封面文章)
8
作者 张阳 莫德锋 +3 位作者 李俊 石新民 范崔 李雪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期9-17,共9页
针对拼接式超大面阵红外焦平面探测器杜瓦封装性能要求,采用基于精密垫片的三点可调式模块结构,设计了多点耦合高导热柔性冷链结构和低应力高均温的SiC冷平台结构,并开展了探测器模块精密拼接、超大规模面阵焦面温度均匀性、大杜瓦组件... 针对拼接式超大面阵红外焦平面探测器杜瓦封装性能要求,采用基于精密垫片的三点可调式模块结构,设计了多点耦合高导热柔性冷链结构和低应力高均温的SiC冷平台结构,并开展了探测器模块精密拼接、超大规模面阵焦面温度均匀性、大杜瓦组件低冷损、超大冷平台组件力学可靠性等关键技术研究。利用2 k×2 k红外探测器模块以3×3的阵列拼接,组件总规模达到6 k×6 k,利用液氮制冷采集了9个模块的温度,温度均匀性为±0.45 K,模块拼接后焦平面阵列平面度优于±10μm,在外壳为室温时获得超大杜瓦组件的漏热为7.53 W。对大组件开展的力学试验表明,XYZ三方向最低基频为557 Hz,经9 grms随机振动后,组件功能正常,未发生明显变化,满足工程化应用需求。 展开更多
关键词 超大面阵红外探测器 杜瓦封装 热机械结构
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航天先进红外探测器组件技术及应用 被引量:29
9
作者 龚海梅 邵秀梅 +7 位作者 李向阳 李言谨 张永刚 张燕 刘大福 王小坤 李雪 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3129-3140,共12页
随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。文中从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等4个方面,介绍了中国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。 展开更多
关键词 红外探测器 HGCDTE INGAAS 航天应用
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红外焦平面可靠性封装技术 被引量:10
10
作者 龚海梅 张亚妮 +8 位作者 朱三根 王小坤 刘大福 董德平 游达 李向阳 王平 朱龙源 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期85-89,共5页
系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术,解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题,进行了组件可靠性、器件的高能粒子辐照与激光辐照等试验,... 系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术,解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题,进行了组件可靠性、器件的高能粒子辐照与激光辐照等试验,获得了一批实用化焦平面组件杜瓦和扁平引线,并均已转入工程研制.研究结果表明微型杜瓦的热负载小于250mW,真空保持寿命大于1年半. 展开更多
关键词 红外焦平面 封装 可靠性
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AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文) 被引量:2
11
作者 李永富 唐恒敬 +5 位作者 朱耀明 李淘 殷豪 李天信 李雪 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期401-405,共5页
为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束... 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间. 展开更多
关键词 扫描电容显微镜(SCM) 激光束诱导电流(LBIC) 光生载流子扩散 保护环 INP/INGAAS
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InGaAs近红外探测器高可靠封装技术
12
作者 刘大福 杨力怡 +3 位作者 徐勤飞 吴家荣 洪斯敏 沈一璋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第8期1412-1415,共4页
对256元和512元InGaAs线列探测器进行了气密封装,对封装结构和工艺中的几个关键技术进行了分析,包括热电致冷器的热负载性能、温度烘烤性能、组件密封性。研究结果表明:在室温条件下,热电致冷器的致冷温差可以达到55 K以上,热负载每增加... 对256元和512元InGaAs线列探测器进行了气密封装,对封装结构和工艺中的几个关键技术进行了分析,包括热电致冷器的热负载性能、温度烘烤性能、组件密封性。研究结果表明:在室温条件下,热电致冷器的致冷温差可以达到55 K以上,热负载每增加50 mW,致冷温差下降约0.51 K,能够满足组件的使用要求。经过120℃、500 h的烘烤后,热电致冷器仍能保持性能不变。组件的密封性达到了国军标的要求。 展开更多
关键词 INGAAS 气密性 热电致冷器 密封 平行缝焊
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微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用
13
作者 吴小利 张可峰 +3 位作者 唐恒敬 韩冰 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期951-953,共3页
微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非... 微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 微波反射光电导衰退法 InCaAs 台面 单项工艺
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GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现
14
作者 张文静 包西昌 +2 位作者 王玲 袁永刚 李向阳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期993-996,共4页
介绍了一种为了获得高速高性能的GaN基紫外数字像素光电传感器的设计和实现。该传感器每个像素单元面积为50μm×50μm,包含一个UV光电探测器,一个1位比较器和一个3 T的存储单元,能同时完成对所有像素的A/D转换。像素内比较器电路... 介绍了一种为了获得高速高性能的GaN基紫外数字像素光电传感器的设计和实现。该传感器每个像素单元面积为50μm×50μm,包含一个UV光电探测器,一个1位比较器和一个3 T的存储单元,能同时完成对所有像素的A/D转换。像素内比较器电路中引入了一个自动复位电路用以实现数字相关双采样功能,并可以增加峰值信噪比以及动态范围。电路采用CSMC DPTM 0.5μm CMOS工艺流片实现,初步的功能实验结果验证这一数字传感器能正常工作。 展开更多
关键词 GAN基紫外探测器 数字像素传感器 模数转换 多通道位串行 比较器
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基于朗缪尔吸附模型的杜瓦真空寿命评估研究
15
作者 范崔 王小坤 +5 位作者 季鹏 张磊 俞君 沈一璋 莫德锋 李雪 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期434-440,共7页
影响杜瓦真空寿命的主要是内部材料出气。针对红外探测器杜瓦的出气机理及密封前需长时间排气特点,提出了以满足朗缪尔吸附模型的脱附速率方程作为杜瓦出气率模型的真空寿命评估方法。创新性地提出排气结束时变温监测离子流的方法,获得... 影响杜瓦真空寿命的主要是内部材料出气。针对红外探测器杜瓦的出气机理及密封前需长时间排气特点,提出了以满足朗缪尔吸附模型的脱附速率方程作为杜瓦出气率模型的真空寿命评估方法。创新性地提出排气结束时变温监测离子流的方法,获得同覆盖度下不同温度的出气率,消除覆盖度的影响,提取了杜瓦的整体出气激活能,推导出存储温度下初始出气率及出气率随时间变化的关系。实验发现三个杜瓦在不同测试条件下获得的激活能差异为8.8%。跟踪封装2年的杜瓦热负载,验证估算的寿命误差为7.2%。本研究为小批量、多样化杜瓦提供了便利的真空寿命无损检测评估方法。 展开更多
关键词 红外器件 杜瓦 真空寿命 出气率 脱附激活能
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基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究
16
作者 曹嘉晟 李淘 +6 位作者 于一榛 于春蕾 杨波 马英杰 邵秀梅 李雪 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期634-642,共9页
系统研究了快速热退火对锌扩散的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In_(0... 系统研究了快速热退火对锌扩散的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器。器件测试反映,未退火的探测器在260~300K具有更低的器件电容和更高的激活能。通过暗电流成分拟合对器件暗电流机制进行分析,未退火器件表现出更低的肖克利-里德-霍尔产生复合电流和扩散电流,因而室温下未退火器件具有更高的峰值探测率。为了制备高性能低掺杂吸收层结构的平面型InGaAs探测器,快速热退火是不必要的工艺。 展开更多
关键词 短波红外 铟镓砷探测器 快速热退火 扩散
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集成透镜的多波段红外探测器组件封装技术
17
作者 陈俊林 莫德锋 +6 位作者 蒋梦蝶 朱海勇 徐勤飞 曾智江 张晶琳 杨晓阳 李雪 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期224-232,共9页
多光谱探测器的小型化和集成化已成为红外探测器的发展方向之一。针对多波段探测器集成低温光学透镜的特点,提出了一种集成透镜兼窗口的气密性封装组件结构。对同一组件多波段探测器不同焦面高精度光学配准、低形变滤光片支撑结构及防... 多光谱探测器的小型化和集成化已成为红外探测器的发展方向之一。针对多波段探测器集成低温光学透镜的特点,提出了一种集成透镜兼窗口的气密性封装组件结构。对同一组件多波段探测器不同焦面高精度光学配准、低形变滤光片支撑结构及防光学串扰、杂散光抑制等方面进行了研究。以某项目用短波红外组件为研究对象,通过3个10元探测器拼接后与3个波段滤光片和透镜低温配准、低形变多波段滤光片窄缝拼接结构设计、杂散光分析抑制等关键技术,实现了3波段探测器与滤光片拼接精度优于±5μm,透镜与探测器配准精度优于±15μm,滤光片低温形变小于0.9278μm,多波段间无明显光学串扰,并经受住1500 h长时间通电老练以及总均方根加速度为22.0 g的随机振动和60g的冲击加速度试验考核。解决了多波段探测器小型化和集成化封装中的高精度配准、低形变滤光片支撑、防光学串扰、杂散光抑制等一系列问题。该组件已成功应用于某项目用光谱成像仪中。 展开更多
关键词 探测器 多通道集成技术 红外探测器组件 滤光片低温形变 光学串扰
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GaN基紫外探测器及其研究进展 被引量:45
18
作者 李向阳 许金通 +5 位作者 汤英文 李雪 张燕 龚海梅 赵德刚 杨辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期276-280,共5页
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p... 宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。 展开更多
关键词 紫外探测器 氮化镓 铝镓氮 紫外焦平面器件
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短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:21
19
作者 李雪 邵秀梅 +8 位作者 李淘 程吉凤 黄张成 黄松垒 杨波 顾溢 马英杰 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期56-63,共8页
短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦... 短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦平面以及新型多功能InGaAs探测器取得了良好进展。在常规波长InGaAs焦平面方面,从256×1、512×1元等线列向320×256、640×512、4000×128、1280×10^24元等多种规格面阵方面发展,室温暗电流密度优于5 n A/cm2,室温峰值探测率优于5×10^12cm·Hz1/2/W。在延伸波长InGaAs探测器方面,发展了高光谱高帧频10^24×256、10^24×512元焦平面,暗电流密度优于10 n A/cm^2和峰值探测率优于5×10^11cm·Hz1/2/W@200 K。在新型多功能InGaAs探测器方面,发展了一种可见近红外响应的InGaAs探测器,通过具有阻挡层结构的新型外延材料和片上集成微纳陷光结构,实现0.4~1.7μm宽谱段响应,研制的320×256、640×512焦平面组件的量子效率达到40%@0.5 m、80%@0.8 m、90%@1.55 m;发展了片上集成亚波长金属光栅的InGaAs偏振探测器,其在0°、45°、90°、135°的消光比优于20:1。 展开更多
关键词 INGAAS 焦平面 短波红外 暗电流 探测率
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高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:24
20
作者 邵秀梅 龚海梅 +5 位作者 李雪 方家熊 唐恒敬 李淘 黄松垒 黄张成 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第8期629-635,共7页
中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,... 中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2,室温峰值探测率优于5×10^(12)cm×Hz^(1/2)/W。同时,开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究,光谱范围0.5~1.7mm,在0.8mm的量子效率约20%,在1.0mm的量子效率约45%。针对高光谱应用需求,上海技物所开展了1.0~2.5mm短波红外InGaAs探测器研究,暗电流密度小于10 n A/cm^2@200 K,形成了512×256、1024×128等多规格探测器,峰值量子效率高于75%,峰值探测率优于5×10^(11)cm×Hz^(1/2)/W。 展开更多
关键词 INGAAS 焦平面 短波红外 暗电流 探测率
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