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IMBPC/AT内存映射技术
1
作者
邱炳森
应关祥
任明
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
2000年第4期406-409,共4页
介绍了基于 IBM PC/AT ISA总线的内存映射技术的基本原理、内存映射的块地址设置等 ,并以星载傅立叶光谱仪高速数据处理系统中 TMS3 2 0 C3 2与 IBM PC/AT的接口为例 ,详细分析了 8位数据传输方式和 1 6位数据传输方式内存映射的设计方...
介绍了基于 IBM PC/AT ISA总线的内存映射技术的基本原理、内存映射的块地址设置等 ,并以星载傅立叶光谱仪高速数据处理系统中 TMS3 2 0 C3 2与 IBM PC/AT的接口为例 ,详细分析了 8位数据传输方式和 1 6位数据传输方式内存映射的设计方法 ,加快了数据传输速率 ,提高了主机与从机之间的通讯能力。
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关键词
ISA总线
内存映射
段地址
IMBPC/AT
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职称材料
p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究
被引量:
2
2
作者
俞谦荣
杨建荣
+3 位作者
黄根生
陈新强
夏义本
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期91-94,共4页
利用SIMS和变温霍尔测量手段对 p型Hg0 .77Cd0 .2 3 Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究 .结果表明采用AgNO3 溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的 ,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的 ...
利用SIMS和变温霍尔测量手段对 p型Hg0 .77Cd0 .2 3 Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究 .结果表明采用AgNO3 溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的 ,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的 ,掺杂后 ,p型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小 。
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关键词
霍尔测试
二次离子质谱
电学性质
银掺杂
红外探测器
P型碲镉汞
液相外延材料
AG掺杂
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职称材料
MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
3
作者
彭承
陆叶华
+2 位作者
孙恒慧
唐文国
李自元
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期181-184,共4页
用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析...
用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。
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关键词
碲化镉
MOCVD生长
缺陷
CDTE
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职称材料
用于太阳磁场精确测量的中红外观测系统
4
作者
无
邓元勇
《中国科技成果》
2020年第8期19-20,共2页
太阳是一颗可被精细观测的恒星样本,其高时间、高空间、高光谱分辨率及高偏振精度等的成像观测结果,是深入理解天体物理学诸多关键问题的观测依据和研究基础;太阳的高温等离子体环境提供了一个地球上无法模拟的巨大的磁流体动力学实验室...
太阳是一颗可被精细观测的恒星样本,其高时间、高空间、高光谱分辨率及高偏振精度等的成像观测结果,是深入理解天体物理学诸多关键问题的观测依据和研究基础;太阳的高温等离子体环境提供了一个地球上无法模拟的巨大的磁流体动力学实验室,对它的认识可以促进对相关基本物理问题的理解;太阳是灾害性空间天气的源头,剧烈的太阳活动会对航空航天、导航通讯乃至国民经济造成灾害性影响。因此,对太阳的观测和研究不仅具有重要的科学意义,而且具有重大的现实意义。
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关键词
磁流体动力学
高温等离子体
太阳磁场
高光谱分辨率
航空航天
太阳活动
空间天气
天体物理学
原文传递
题名
IMBPC/AT内存映射技术
1
作者
邱炳森
应关祥
任明
机构
中国科学院上海技物所
航天遥感研究室
华东师范大学电子
科学
技
术系
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
2000年第4期406-409,共4页
文摘
介绍了基于 IBM PC/AT ISA总线的内存映射技术的基本原理、内存映射的块地址设置等 ,并以星载傅立叶光谱仪高速数据处理系统中 TMS3 2 0 C3 2与 IBM PC/AT的接口为例 ,详细分析了 8位数据传输方式和 1 6位数据传输方式内存映射的设计方法 ,加快了数据传输速率 ,提高了主机与从机之间的通讯能力。
关键词
ISA总线
内存映射
段地址
IMBPC/AT
Keywords
ISA bus
memory mapping
segment address
data transmission
分类号
TP368.3 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究
被引量:
2
2
作者
俞谦荣
杨建荣
黄根生
陈新强
夏义本
何力
机构
上海
大学材料
科学
与工程
学院
中国科学院上海技物所
半导体材料器件研究中心
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期91-94,共4页
基金
国家自然科学基金 (批准号 6942 5 0 0 2 )资助项目~~
文摘
利用SIMS和变温霍尔测量手段对 p型Hg0 .77Cd0 .2 3 Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究 .结果表明采用AgNO3 溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的 ,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的 ,掺杂后 ,p型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小 。
关键词
霍尔测试
二次离子质谱
电学性质
银掺杂
红外探测器
P型碲镉汞
液相外延材料
AG掺杂
Keywords
HgCdTe
doping
Hall tests
SIMS
electrical properties
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
3
作者
彭承
陆叶华
孙恒慧
唐文国
李自元
机构
复旦大学
物
理系
中国科学院上海技物所
红外
物
理开放研究实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期181-184,共4页
文摘
用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。
关键词
碲化镉
MOCVD生长
缺陷
CDTE
Keywords
Chemical vapor deposition
Defects
Films
MOCVD
分类号
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于太阳磁场精确测量的中红外观测系统
4
作者
无
邓元勇
机构
中国科学院
国家天文台
中国科学院上海技物所
中国科学院
西安光机所
不详
出处
《中国科技成果》
2020年第8期19-20,共2页
基金
国家自然科学基金重大科研仪器研制项目(11427901)。
文摘
太阳是一颗可被精细观测的恒星样本,其高时间、高空间、高光谱分辨率及高偏振精度等的成像观测结果,是深入理解天体物理学诸多关键问题的观测依据和研究基础;太阳的高温等离子体环境提供了一个地球上无法模拟的巨大的磁流体动力学实验室,对它的认识可以促进对相关基本物理问题的理解;太阳是灾害性空间天气的源头,剧烈的太阳活动会对航空航天、导航通讯乃至国民经济造成灾害性影响。因此,对太阳的观测和研究不仅具有重要的科学意义,而且具有重大的现实意义。
关键词
磁流体动力学
高温等离子体
太阳磁场
高光谱分辨率
航空航天
太阳活动
空间天气
天体物理学
分类号
G63 [文化科学—教育学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IMBPC/AT内存映射技术
邱炳森
应关祥
任明
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
2000
0
下载PDF
职称材料
2
p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究
俞谦荣
杨建荣
黄根生
陈新强
夏义本
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
下载PDF
职称材料
3
MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
彭承
陆叶华
孙恒慧
唐文国
李自元
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
下载PDF
职称材料
4
用于太阳磁场精确测量的中红外观测系统
无
邓元勇
《中国科技成果》
2020
0
原文传递
已选择
0
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