Bi_2O_3-SiO_2玻璃及玻璃陶瓷近红外发光性能的研究

采用高温熔融法制备了Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷,测试了样品的近红外光区及可见光区的发射谱、激发谱及荧光寿命。在808 nm波长光的激发下,Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷中均发现了近红外发光。当Bi2O3含量较低时(30mol%、40mol%、50mol%),发光中心位于1336 nm(或1300 nm),为宽带发光;随Bi2O3含量的增加,1070 nm左右出现了窄带近红外发光峰,且逐渐成为最强发光峰,与此同时,1336 nm(或1300 nm)的宽带发光转变为窄带发光。1336 nm(或1300 nm)与1070 nm发射峰的荧光寿命及激发谱均存在较大的区别,初步分析认为这两个发射峰归属于不同的发光中心,1336 nm(或1300 nm)发射峰源于低价态Bi离子。

红色Bi_4Ge_3O_(12)晶体在低温下的发光性能

用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度随温度降低而增强,衰减时间为几百μs。

掺杂的Bi_4Ge_3O_(12)晶体的近红外发光性能

生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子。掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大。

退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响

通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。

Bi_2O_3-B_2O_3-BaO玻璃的制备及其近红外发光性能的研究

采用高温熔融法制备了xBi2O3-50B2O3-(50-x)BaO玻璃,测定了样品玻璃的近红外光区的发射谱、荧光寿命以及Raman光谱.在808nm波长光的激发下,50Bi2O3-50B2O3二元玻璃中未观察到近红外发光;随体系中BaO的加入,当x为40,45以及49时,玻璃样品中观察到了近红外宽带发光现象;BaO含量进一步增加,当x=10—30时,近红外发光现象消失;而当玻璃中Bi浓度很低时,在0.5Bi2O3-50B2O3-50BaO及1Bi2O3-50B2O3-50BaO玻璃中发现了近红外发光现象,且存在多个发光峰.对铋离子近红外发光机理进行了初步的探讨.

掺铋离子BaO-B_2O_3玻璃的制备及其近红外发光性能的研究

采用高温熔融法制备了掺Bi离子的BaO-B_2O_3玻璃,测定了样品玻璃的近红外以及可见光区的激发、发射谱、荧光衰减曲线以及Raman光谱.在808 nm波长光的激发下,在掺Bi离子的BaO-B_2O_3玻璃中发现了近红外发光现象,且存在多个发光峰,讨论了玻璃网络结构对Bi离子发光的影响,对其发光机理进行了初步的探讨.

掺铋BaF_2晶体的制备及其近红外发光研究

通过温度梯度法制备了Bi2O3:BaF2以及BiF3:BaF2晶体.在Bi2O3:BaF2晶体中观察到了发光峰位于961nm,半高宽202nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi2+和Bi3+可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF3:BaF2晶体的近红外发光,发光峰位于1135nm,半高宽192nm.讨论了Bi2O3和BiF3掺杂BaF2晶体的红外发光的机理.

半导体激光器抽运的连续锁模镱钠共掺氟化钙激光器

报道了半导体激光器抽运的连续锁模镱钠共掺氟化钙(Yb,Na∶CaF2)激光器中,利用半导体可饱和吸收镜(SESAM)启动被动锁模,SF10棱镜对进行腔内色散补偿,在吸收抽运功率为9 W的条件下,采用1%的耦合输出镜,获得了脉冲宽度为406 fs,输出功率为80 mW,中心波长在1043 nm附近,重复频率为94.8 MHz的连续脉冲序列。

镱钠共掺氟化钙锁模激光器产生190 fs光脉冲

在半导体激光器高功率抽运的镱、钠共掺氟化钙(Yb,Na:CaF_2)激光器中,通过对晶体的负热透镜效应的数值模拟,进行激光器腔型的调节和优化,使得该激光器在采用2%的耦合输出镜和吸收抽运功率为7.8 W的条件下,获得了脉冲宽度为190 fS、平均输出功率为503 mW、中心波长为1034 nm、重复频率为82.4 MHz的连续锁模脉冲序列.如果计算晶体表面反射等其他形式的泄漏输出,激光器的总平均输出功率为905 mW.