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水热法制备BaTiO_3粉体
被引量:
23
1
作者
李汶军
施尔畏
+2 位作者
郑燕青
夏长泰
殷之文
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期714-720,共7页
以Ba(OH)2·8H2O 和TiO2 为前驱物,在水热条件下制得了单一物相的BaTiO3 粉体. 发现产物的物相与反应温度和前驱物的Ba,Ti 摩尔比有关. 由负离子配位多面体生长基元模型分析了BaTiO3 粉体的形...
以Ba(OH)2·8H2O 和TiO2 为前驱物,在水热条件下制得了单一物相的BaTiO3 粉体. 发现产物的物相与反应温度和前驱物的Ba,Ti 摩尔比有关. 由负离子配位多面体生长基元模型分析了BaTiO3 粉体的形成机理. 指出了形成BaTiO3 粉体的生长基元为Ba(OH)10-12 和Ti(OH)2-6 . 由此比较合理地解释了粉体的物相以及Ba,Ti 摩尔比对BaTiO3 粉体形成的影响.
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关键词
钛酸钡
粉体
物相
水热法
电子陶瓷
煅烧
下载PDF
职称材料
负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌
被引量:
55
2
作者
李汶军
施尔畏
+1 位作者
仲维卓
殷之文
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期117-125,共9页
本文介绍了一种新的形貌判定准则———配位多面体生长习性法则。首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型,在此基础上提出了晶体形貌判定法则。即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面...
本文介绍了一种新的形貌判定准则———配位多面体生长习性法则。首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型,在此基础上提出了晶体形貌判定法则。即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关。显露配位多面体顶点的晶面生长速度快,显露面的晶面生长速度慢,显露棱的晶面生长速度介于两者之间。此外,晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关。显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快。根据此法则成功地解释了γAlO(OH)晶体和极性晶体ZnO,SiO2的形貌特征。最后,本文还提出了两种晶体形貌的调制方法,即添加剂调制法和过饱和度调制法。
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关键词
形貌
负离子
配位多面体
晶粒
模型
晶体生长
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职称材料
水热合成中负离子配位多面体生长基元模型与粉体的晶粒粒度
被引量:
22
3
作者
李汶军
施尔畏
+2 位作者
仲维卓
郑燕青
殷之文
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期164-171,共8页
在负离子配位多面体生长基元模型的基础上深入研究了晶粒的结晶过程.认为成核过程主要包括生长基元的形成和生长基元之间的脱水反应过程,并从成核速度的角度分析了影响晶粒粒度的主要原因.揭示了影响晶粒粒度的主要原因为生长基元的...
在负离子配位多面体生长基元模型的基础上深入研究了晶粒的结晶过程.认为成核过程主要包括生长基元的形成和生长基元之间的脱水反应过程,并从成核速度的角度分析了影响晶粒粒度的主要原因.揭示了影响晶粒粒度的主要原因为生长基元的生成能、晶体的晶格能.由此总结出不同结构类型的氧化物粉体晶粒粒度的相对大小.合理地解释了由水热法制得的氧化物粉体的晶粒粒度差别较大的原因以及反应介质、反应温度对晶粒粒度的影响.
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关键词
生长基元
晶粒粒度
水热法
粉体
负离子配位
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职称材料
题名
水热法制备BaTiO_3粉体
被引量:
23
1
作者
李汶军
施尔畏
郑燕青
夏长泰
殷之文
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期714-720,共7页
文摘
以Ba(OH)2·8H2O 和TiO2 为前驱物,在水热条件下制得了单一物相的BaTiO3 粉体. 发现产物的物相与反应温度和前驱物的Ba,Ti 摩尔比有关. 由负离子配位多面体生长基元模型分析了BaTiO3 粉体的形成机理. 指出了形成BaTiO3 粉体的生长基元为Ba(OH)10-12 和Ti(OH)2-6 . 由此比较合理地解释了粉体的物相以及Ba,Ti 摩尔比对BaTiO3 粉体形成的影响.
关键词
钛酸钡
粉体
物相
水热法
电子陶瓷
煅烧
Keywords
growth unit, barium titanate, powder, phase
分类号
TF124.1 [冶金工程—粉末冶金]
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌
被引量:
55
2
作者
李汶军
施尔畏
仲维卓
殷之文
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期117-125,共9页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍了一种新的形貌判定准则———配位多面体生长习性法则。首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型,在此基础上提出了晶体形貌判定法则。即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关。显露配位多面体顶点的晶面生长速度快,显露面的晶面生长速度慢,显露棱的晶面生长速度介于两者之间。此外,晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关。显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快。根据此法则成功地解释了γAlO(OH)晶体和极性晶体ZnO,SiO2的形貌特征。最后,本文还提出了两种晶体形貌的调制方法,即添加剂调制法和过饱和度调制法。
关键词
形貌
负离子
配位多面体
晶粒
模型
晶体生长
Keywords
growth unit,morphology,hydrothermal method,crystal interface,growth mechanism
分类号
O781 [理学—晶体学]
O782.2 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
水热合成中负离子配位多面体生长基元模型与粉体的晶粒粒度
被引量:
22
3
作者
李汶军
施尔畏
仲维卓
郑燕青
殷之文
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期164-171,共8页
基金
国家自然科学基金
文摘
在负离子配位多面体生长基元模型的基础上深入研究了晶粒的结晶过程.认为成核过程主要包括生长基元的形成和生长基元之间的脱水反应过程,并从成核速度的角度分析了影响晶粒粒度的主要原因.揭示了影响晶粒粒度的主要原因为生长基元的生成能、晶体的晶格能.由此总结出不同结构类型的氧化物粉体晶粒粒度的相对大小.合理地解释了由水热法制得的氧化物粉体的晶粒粒度差别较大的原因以及反应介质、反应温度对晶粒粒度的影响.
关键词
生长基元
晶粒粒度
水热法
粉体
负离子配位
Keywords
growth unit, particle size, hydrothermal method
分类号
O782.2 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
水热法制备BaTiO_3粉体
李汶军
施尔畏
郑燕青
夏长泰
殷之文
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
23
下载PDF
职称材料
2
负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌
李汶军
施尔畏
仲维卓
殷之文
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
55
下载PDF
职称材料
3
水热合成中负离子配位多面体生长基元模型与粉体的晶粒粒度
李汶军
施尔畏
仲维卓
郑燕青
殷之文
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
22
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职称材料
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