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SOZ膜结晶质量的研究
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作者 陈庆贵 高培德 +4 位作者 褚卫兵 史日华 孙克怡 董奇伟 董荣康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期35-37,56,共4页
研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200~1250℃、60~120分为好。
关键词 SOZ膜 结晶 质量
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