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无铬相移掩模光刻技术 被引量：5
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作者 冯伯儒 陈宝钦 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期328-332,共5页
本文论述了相移掩模(PSM)提高光刻分辨率的基本原理、主要类型、无铬 PSM 的制作方法,简述了曝光实验和实验结果.用 NA=0.28的 g 线光刻机得到了0.5μm的实际分辨率.
关键词 相移掩膜 无铬 光刻技术 大规模集成电路
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