碳纳米管向金刚石纳米晶粒的转变

The transition from carbon nanotubes to diamond nanocrystals by vacuum evaporation is reported. The nanocrystals were characterized by transition electron microscopy (TEM) and high resolution transition electron microscopy(HRTEM). The micrographs and corresponding diffraction patterns showed that the nanocrystals with perfect crystal structure conformed to diamond clusters. The transition mechanism and process are primarily discussed.

以纳米碳管为媒介生长的纳米石英晶须的微结构

应用电子显微技术，研究了以纳米碳管为媒介生长的SiO2晶须的形貌及其微结构特征，这些晶须为六角结构的。α-SiO2；直径为数十纳米，长度可达100μm以上，生长方向一般为[11-20]方向，且在校面方向上存在互成120°的面缺陷.

导电高聚物PPV的次晶结构研究(英文)

通过电子衍射实验揭示了导电高聚物ＰＰＶ（拉伸５倍）的次晶性；对弥散的层线强度分布进行了测量和分析，获取了表达单胞参数涨落的精确值，即Δ１１（３）＝Δ２２（３）＞０．０２７ｎｍ，Δ３３（３）＜０．０１２ｎｍ。此外，还推导了其取向分布函数值。

纳米晶须的系列倾衍射及带轴夹角的精确测定

通过对以纳米碳管为媒介生长的一未知纳米晶须进行的系列倾电子衍射实验，测定了该晶须为正交结构的Ｓｉ２Ｎ２Ｏ；针对常用的系列倾电子衍射实验的倾角计算公式，讨论了带轴间夹角与膜面法线转角的差异，并推导了其精确表达式。

金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究

研究了金属有机化合物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在（０００１）氧化铝基底上生长的ＧａＮ 薄膜的微结构，目的在于解释ＧａＮ缓冲层在二步法生长过程中的作用及其对外延层晶体质量的影响．在缓冲层中观察到了高密度的结构缺陷，并发现了两种晶体结构（立方和六角）的ＧａＮ．进而对两种结构ＧａＮ的成因进行讨论，并对缓冲层和外延层中结构缺陷的关系进行了研究．