氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究

报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气氛中1000℃左右进行反应,结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须,及纳米线.许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的如梯子状的形貌.研究还发现,大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向(c轴方向).X射线衍射谱揭示,反应产物为非常纯的氮化镓晶体,而低温光致发光谱分析则发现,氮化镓微米晶须在520nm处有一个杂质发光峰.这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理,并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件.

半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理 ,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单 ,对有效光子状态密度调制较大 ,是比较理想的半导体微腔激光器。

现代光电子的发展现状、特征和趋势

系统地介绍了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势.详细地介绍了几种半导体激光器、Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势.

AlGaN/GaN异质结紫外探测器

采用p-AlxGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱。对于Al组分为0.1的器件,在零偏压处出现了极低的暗电流密度,表明器件具有非常高的信噪比。高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明,高铝组分(0.1)窗口层薄膜材料的晶体质量较差,导致暗电流增大,而其窗口层的窗口选择作用则可以得到较高的响应率和较宽的响应波段。