Elsevier、IOP相继访问中国科学院半导体所

应中国科学院半导体所图书信息中心邀请，Elsevier出版公司中国地区代表处副总裁Paul Evans博士一行八人于6月9日访问了半导体所。

透射电子显微学在半导体材料科学中的应用

本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"、"微观结构"的全方位信息,说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用,而且随着半导体材料的日新月异的发展,其重要性将日趋明显。

半导体 SiC 材料的外延生长

ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。本文简要介绍ＳｉＣ半导体材料的液相外延、化学气相和分子束外延生长的概况及生长过程中杂质的控制。

掺稀土半导体光电特性和应用

结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展。重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。

一种新型垂直外腔面发射半导体激光器

概述了近几年国外发展起来的一种新型半导体激光器光源:垂直外腔面发射激光器,详细介绍了它在光束质量方面的优点,研制方法以及工艺上的特点。

半导体材料发展现状与趋势

本文共分四个部分。第一部分从材料是人类社会发展的物质基础与先导着手,对作为现代信息社会支柱的微电子和光电子高技术产业的核心和基础的半导体材料在国民经济建设。社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析。第二部分首先分析了硅单晶在现代微电子技术中所起的主导地位和下一世纪初所遇到的挑战;进而对以GaAs、MnP等为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料和以它们为基的超晶格量子阱材料、硅基GeSi合金材料和宽带隙半导体材料等目前所达到的水平和发展趋势进行简单讨论。第三部分,将对近年来新兴起的前沿研究领域低维（一维、零维）半导体微结构材料和固态量子器件研制所取得的进展、存在问题和发展趋势作一评述。最后一部分,结合国情和我国在该领域发展水平和地位,提出了发展我国半导体材料的战略设想。

加快发展我国半导体照明新兴战略性产业

半导体照明亦称固态照明，是指用全固态发光器件作为光源的照明，主要包含发光二极管（LED，light emitting diode的缩写）和有机物发光二极管（OLED，Organic Light Emitting Diode的缩写），具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等显著特点．正在成为照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。半导体照明以其技术的先进性和产品应用的广泛性．被公认为是21世纪最具发展前景的高新技术领域之一。

长波长半导体可饱和吸收镜的研制及其在固体激光器被动锁模和调Q中的应用

介绍了国际上流行的长波长半导体可饱和吸收镜的研制方法及其在固体激光器被动锁模和被动调Q中所起的作用 ,并分别就Cr4 +:YAG ,Cr:Forsterite等激光器进行了阐述。

微腔面发射半导体激光器的像散因子

微腔面发射半导体激光器的像散因子赵一广，张宇生，焦鹏飞，黄显玲，陈娓兮（北京大学物理系北京１００８７１）林世呜（中国科学院半导体所北京１０００８３）微腔半导体激光器的自发发射因子是当前非常热门的研究课题。理论预言，在微腔半导体激光器中自发发射因子可能...

半导体材料性能检测技术的新进展

综述了近年来半导体材料性能检测技术的新进展，特别重点地介绍了高空间分辨的快速、无损、自动测试技术发展现状及其在评价半导体材料微区性能方面的重要作用，希望能引起国内同行的重视，使我国的半导体材料测试分析技术上一个新台阶。

半导体超晶格结构参数的x射线衍射运动学理论拟合计算

运用x射线衍射的运动学理论研究了[(Ga_(1-x)Al_xAs)_m(GaAs)_a]_N/GaAs(001)一维超晶格结构。通过模拟计算,精确确定了起晶格的结构参数。本文所述的方法可用于各种超晶格结构,具有普遍意义。另外,还对超晶格卫星峰强度的非对称性以及界面过渡层的存在对卫星峰强度的影响,做了必要的讨论。

半导体中自旋轨道耦合及自旋霍尔效应

本文主要评述和介绍半导体微结构中自旋轨道耦合的研究和最近的研究进展。我们细致地讨论了半导体微结构中自旋轨道耦合的物理起源和窄带隙半导体量子阱中的自旋霍尔效应。我们发现目前国际上广泛采用的线性Rashba模型在较大的电子平面波矢处失效:即自旋轨道耦合导致的能带自旋劈裂不再随电子波矢的增加而增加,而是开始下降,即出现强烈的非线性行为。这种非线性的行为起源于导带和价带间耦合的减弱。这种非线性行为还会导致电子的D’yakonov-Perel’自旋弛豫速率在较高能量处下降,与线性模型的结果完全相反。在此基础上,我们构造统一描述电子和空穴自旋霍尔效应的理论框架。我们的方法可以非微扰地计入自旋轨道耦合对本征自旋霍尔效应的影响。我们将此方法应用于强自旋轨道耦合的情形,即窄带隙CdHgTe/CdTe半导体量子阱。我们发现调节外电场或量子阱的阱宽可以作为导致量子相变和本征自旋霍尔效应的开关。我们的工作可能会为区别和实验验证本征自旋霍尔效应提供物理基础。

微腔半导体激光器的激射机制、瞬态响应及其在光纤通信中计算机模拟

通过速率方程分析微腔激光器稳态、瞬态特性，发现在增强自发发射因子的微腔激光器，加速了载流子的积累，促进了激光输出，随着注入电流的增加．光增益作用增强，激光器由自发发射向振荡放大机制转化；在阶跃电流调制下，增大自发发射因子可以减弱或消除张弛振荡，提高响应速率，在脉码调制下，眼图张开面积随自发发射因子增大而变大，有利于高速光互联；最后模拟了微腔激光器作为光源的光纤通信系统，给出１０Ｇｂｉｔ／ｓ传输６０ｋｍ的接受眼图。

碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响

用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因．

高功率14xxnm半导体激光器

高功率14xxnm半导体激光器是光纤Raman放大器的理想泵浦源,它能够提供大功率、宽带输出,而且其动态可调谐,频率稳定性好,成本低。本文详细介绍了高功率14xxnm半导体激光器的材料生长、器件结构和封装工艺,总结了AlGaInAs材料生长的难点和结构方面的改进措施,指出了带有锥形增益区的脊形波导结构是获取高功率、良好远场单模特性的有效途径。本文还报导了国内外高功率14xxnm半导体激光器的最新产品性能和研发状况,指出了国内进一步研制高功率14xxnm激光器的研究难点和重点。

用于泵浦固体激光器的大功率半导体激光材料及器件实用化研究

本课题采用分子束外延技术,生长高质量的大功率半导体激光器材料,并制备高性能的大功率半导体激光器器件,提供给八六三项目的其它课题,制做大功率半导体激光光纤耦合模块,为全固态绿、蓝光激光器系统提供高性能的泵浦源。 经过近5年的研究,在大功率半导体激光器材料生长和器件制备方面取得了很大进展。(1)研制出的808nm,大功率量子阱激光器材料阈值电流密度低(300～400A/cm^2),发光波长准确(808.7±3.0nm)均匀性比较高。(2)

GaSb单晶研究进展

近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也对其质量提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能,这就要求GaSb单晶片具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。本文就GaSb晶体材料的性质、制备方法、国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述,并对其发展前景和趋势进行了展望。

高品质磷化铟多晶的HGF法合成研究

用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟(InP)多晶。分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响,结果表明当温度梯度低于4℃/cm时,多晶呈明显富铟状态,配比度在97%以下;当温度梯度在5℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂,达到近化学配比状态,配比度达到99%以上。对多晶样品进行了霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,合成的高配比度磷化铟多晶载流子浓度在8×10^(15)cm^(-3)以下,迁移率在3900 cm~2·V^(-1)·s^(-1)以上,纯度达到99.99999%以上。多晶中的杂质主要有Si,S,Fe,Cu,Zn,As等,分析了杂质的来源及其对材料性能的影响。

中国分子束外延技术的发展

本文评述了我国自70年代中期开始分子束外延(MBE)研究以来的MBE设备、材料及器件应用的发展和现状。

王占国:发展中国第三代半导体材料机遇大于挑战

2017年,中国GaN和SiC器件市场规模已达30.8亿元。作为第三代半导体材料中的代表,近年来GaN和SiC在5G通信技术、新能源汽车以及光电应用等推动之下,始终保持着市场的快速增长。