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非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
1
作者
张世斌
孔光临
+3 位作者
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期794-799,共6页
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄...
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
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关键词
硅薄膜
非晶硅
瞬态光电导
光致变化
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职称材料
题名
非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
1
作者
张世斌
孔光临
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
机构
中国科学院半导体所表面物理实验室凝聚态物理中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期794-799,共6页
基金
国家重点基础研究资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~
文摘
研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
关键词
硅薄膜
非晶硅
瞬态光电导
光致变化
Keywords
amorphous silicon
transient photoconductivity
light-induced change
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
张世斌
孔光临
徐艳月
王永谦
刁宏伟
廖显伯
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
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