化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料

在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。

优质GaAs/Si材料的研制

用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10^(16)cm^(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm^(-2)。

In_x Ga_(1-x)As/GaAs应变材料的生长与测试

利用国产Ⅳ型MBE设备,生长了长周期的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变多量子阱结构,并利用x射线双晶衍射、低温光荧光、光吸收谱等多种实验手段来检验材料的质量。实验结果表明,材料具有优良的结构完整性。

纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明。

低温分子束外延GaAS薄膜的研究

我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．

大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响

利用电流电压（ Ｉ Ｖ）、电致发光（ Ｅ Ｌ）和深能级瞬态傅里叶谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫． Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ研究表明，电流冲击之前，样品存在一个位于导带下 １１ｅ Ｖ 处深能级（ Ｅ１），它具有 ２７×１０１３ ｃｍ － ３ 浓度和 ５×１０－ １４ ｃｍ ２ 俘获截面．经电流冲击（７７ Ｋ，２００ｍ Ａ 和 ４０ｍ ｉｎ）后， Ｅ１ 浓度为４２１×１０１３ｃｍ － ３ ，约增加了 ２ 倍．实验结果表明 Ｅ１ 浓度的增加与样品 Ｉ Ｖ、 Ｅ Ｌ

国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果

研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。

p^+-n^--n结的势垒分布

GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n^-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n^-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p^+－n^-－n结构的势垒分布， 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。

MBE GaAs/GaP(001)外延层的光学和结构性质

利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张应力作用,这种双轴张应力使其晶格参数和能带结构发生变化。