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低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器 被引量：2
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作者 徐遵图 杨国文 +6 位作者 肖建伟 徐俊英 张敬明 郑婉华 瞿伟 陈良惠 毕可奎 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期598-602,共5页
本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为... 本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平． 展开更多
关键词 量子进激光器 背形波导 砷化镓 ALGAAS
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