形成优质Si^＋注入SI—GaAs层的研究

在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的ｎ型薄层．本文研究了引Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系．结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响．材料或退火过程中Ａｓ和Ｇａ的原子比［Ａｓ］／［Ｃａ］稍大时，注入层中电激活率和迁移率都高．实验还证明，２９Ｓｉ＋注入时ＢＦ＋束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降．本文指出注入时剂量不宜过大，白光快速退火时温度不宜过高，一般在９６０℃５秒退火为佳．

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .

近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱

用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜 .研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光 (PL)谱 ,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别 ,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论 .

氮化镓缓冲层的物理性质

用金属有机物气相外延（ Ｍ Ｏ Ｖ Ｐ Ｅ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ Ｇａ Ｎ）缓冲层，以及在缓冲层上继续生长了 Ｇａ Ｎ 外延层．研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对 Ｇａ Ｎ 外延层的影响． 提出了一个模型以解释用 Ｍ Ｏ Ｖ Ｐ Ｅ 方法在蓝宝石衬底上生长 Ｇａ Ｎ

迭层太阳电池中电流、电压及功率分配的理论分析

为了从理论上了解迭层太阳电池的工作特性 ,根据单结太阳电池直流模型提出了迭层电池的直流模型 ,并在模型基础上给出了描述迭层电池工作特性的方程组。在迭层电池模型和方程组的基础上 ,讨论了迭层电池开路状态和短路状态下电池内部电流、电压及功率分配。重点讨论了迭层电池对外做功情况下电流、电压及功率在迭层电池中的分配。论证了迭层电池中 ,要求获得最大的功率输出 ,其子电池电流必须满足匹配关系。

InP的MOVPE生长

我们利用自制的常压ＭＯＶＰＥ设备和国产的三甲基钢以及进口的磷烷生长了ＩｎＰ外延材料，其７７Ｋ迂移率为６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，据我们所知这是国内迄今为止用各种方法获得的ＩｎＰ薄膜的最大低温迁移率值。

高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制

设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N-EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N-EAM。脊波导长度为250μm,宽度为2.5μm的D-EAM在-3V偏压下电容为0.225pF,对应的调制带宽估算为28.3GHz;1 550nm输入波长条件下,D-EAM在偏压为-1V至-2V之间调制效率最大,达到10dB/V,而-3V、-6V下的调制深度分别为22dB和26dB,满足40Gbit/s光纤通信要求。

量子点的原子力显微镜测试结果分析:数学形态学的实现

提出了从原子力显微镜(AFM)照片中分割出量子点的算法,可以利用程序自动地统计照片中量子点的各种数据.该算法基于数学形态学的方法,包括三个步骤:首先根据照片中每个局部最高点的dynamics值,利用标记分水岭分割方法初步将每个量子点分开;第二步根据量子点的定义,从每个区域中提取出量子点;第三步,为了防止分割过程中将部分衬底一起提取,利用量子点的高度-面积分布,将多余衬底滤去.该算法具有快速、对噪声不敏感的特点,能准确地提取量子点的高度、横向尺寸、体积等数据.

Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究

介绍了会聚束电子衍射 (CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x Si化学梯度层中应变分布的实验结果 ,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度 ,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。