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A^ⅢB^Ⅴ化合物半导体欧姆接触的研究进展 被引量:5
1
作者 许振嘉 丁孙安 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第2期71-94,共24页
本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属/半导体接触物理,从理论上阐明了欧姆接触的机理,以及对其表征和测试。其次,文章用大量篇幅,总结了利用不同方法(如重掺技术、金属... 本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属/半导体接触物理,从理论上阐明了欧姆接触的机理,以及对其表征和测试。其次,文章用大量篇幅,总结了利用不同方法(如重掺技术、金属化和能带工程等)实现各种A~ⅢB~Ⅴ半导体材料上欧姆接触的工艺过程、实验研究和重要结论,其中以GaAs最为详细。结合器件的发展和实际工艺的要求,文章还分析了各种制备方法的优缺点,并指出这方面研究工作目前存在的、急需解决的一些问题。 展开更多
关键词 欧姆接触 化合物半导体
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O_2在FeSi(100)表面的初始吸附研究
2
作者 丁孙安 许振嘉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期147-154,T001,共9页
本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此外,通过对实验结果的分析,给出一种室温下O原子在FeSi(100)表... 本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此外,通过对实验结果的分析,给出一种室温下O原子在FeSi(100)表面上吸附的模型. 展开更多
关键词 氧分子 FESI 吸附 俄歇电子能谱
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a-SiN_x∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究
3
作者 岳瑞峰 王燕 +1 位作者 韩和相 廖显伯 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期238-242,共5页
采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,T... 采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,TA模相对于TO模的强度增加且频率有较大的蓝移 ,TO模的频率及半高宽则变化较小。N的引入使得样品在750℃ (高于a Si∶H的晶化温度 )退火时不能结晶。退火引起大量H的逸出 ,使得样品的缺陷态密度大大增加 ,导致TO模和TA模均有大的红移 ,TO模的半高宽也急剧增加 ,并且在 492cm- 1 出现了退火前较难观察到的代表Si3 展开更多
关键词 RAMAN光谱 振动模式 a-SiHx:H薄膜 退火 微结构
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Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面
4
作者 邢益荣 W.朗克 胡晓明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期254-260,共7页
利用常规的LEED和高分辨率的SPA-LEED技术研究了标称(337)的Si表面原子结构.经过反复的离子轰击(700eVAr+)和1300K退火之后的这种表面形成稳定的(5,5,12)晶面,即结构周期为(337)+(... 利用常规的LEED和高分辨率的SPA-LEED技术研究了标称(337)的Si表面原子结构.经过反复的离子轰击(700eVAr+)和1300K退火之后的这种表面形成稳定的(5,5,12)晶面,即结构周期为(337)+(225)+(337)的有序的原子排列.这一事实说明:Si(5,5,12)是比Si(337)更为稳定的晶面.LEED和SPA-LEED图像证实,稳定的Si(5,5,12)表面为(2×1)原子再构,即沿[110]方向的周期是体内结构周期的两倍,而沿[665]方向的周期与体内结构周期相同.Si(5,5,12)-2×1表面的元胞面积为0.768×5.348nm2,这是至今所观察到的最大表面元胞之一.结合其它的实验结果,提出了一个Si(5,5。 展开更多
关键词 表面原子结构 LEED SPA-LEED
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掺铕GaN薄膜的Raman散射研究 被引量:2
5
作者 张春光 卞留芳 陈维德 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期279-283,共5页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明,1000℃的高温退火导致了GaN的分解。 展开更多
关键词 GAN EU 金属有机物化学气相沉积 RAMAN散射 稀土
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金属-砷化镓研究
6
作者 许振嘉 《半导体情报》 1992年第6期6-9,56,共5页
本文评述了金属-半导体接触的各种机理以及这个接触在半导体枝术中的实际应用。
关键词 金属-半导体 欧姆接触 砷化镓
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掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光 被引量:1
7
作者 宋淑芳 陈维德 +2 位作者 张春光 卞留芳 许振嘉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期513-516,i0001,共5页
利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1 050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入... 利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1 050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态.AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368 nm左右.PL结果表明,在850~1 050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1 050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr3+的热激活能为5.8 eV. 展开更多
关键词 GAN PR 背散射/沟道技术 光致发光
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a-SiN_x∶H薄膜的室温光致发光 被引量:2
8
作者 岳瑞峰 王燕 +4 位作者 李国华 廖显伯 王永谦 刁宏伟 孔光临 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第6期390-393,共4页
研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0... 研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0 .8时 ,样品表现为与a Si∶H类似的荧光特性及温度特性 ;当x >0 .8时 ,荧光强度和峰位均有大的增加 ,归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合。最后 ,采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象。 展开更多
关键词 a-SiNx∶H薄膜 渗流理论 量子限制 室温光致发光
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低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构 被引量:1
9
作者 王燕 岳瑞峰 +4 位作者 韩和相 廖显伯 王永谦 刁宏伟 孔光临 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期599-603,共5页
利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (~ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激... 利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (~ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激发光被样品表面强烈吸收 .探测深度的变化造成了两种激发下 Raman谱出现较大的差异 .实验结果表明样品体内存在硅团簇结构 ,样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层 .这两种空间的不均匀性造成了高能激发时 Raman谱的 TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 .以上结果证明不同激发波长将造成Ram an测量结果的差异 . 展开更多
关键词 Raman测量 化学键结构 a-Si-C:H薄膜
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氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响 被引量:1
10
作者 丁孙安 许振嘉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期367-372,共6页
存在于(Pt及其硅化物)/Si界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能.本文主要讨论氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Schottky势垒的影响.
关键词 界面 杂质 氢等离子体 缺隐态
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Proton Irradiation and Thermal Annealing of GaAs Solar Cells
11
作者 向贤碧 杜文会 +1 位作者 廖显伯 常秀兰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期710-714,共5页
The investigation on proton irradiation and thermal annealing of AlGaAs/GaAs solar cells has been reported.The energy of the proton irradiation is 325keV and the fluences are ranging from 5×10 10 to 1×1... The investigation on proton irradiation and thermal annealing of AlGaAs/GaAs solar cells has been reported.The energy of the proton irradiation is 325keV and the fluences are ranging from 5×10 10 to 1×10 13 cm -2 .It is demonstrated that the irradiation-induced degradation in the photovoltaic performance of the solar cells exists mainly in the short circuit current and the irradiation damage can be partly recovered by low temperature annealing at 200℃.In addition,it is found that the borosilicate cover glass has an obvious protection effect against the proton irradiation. 展开更多
关键词 proton irradiation thermal annealing solor cell
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新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究
12
作者 王占国 陈维德 《中国科学基金》 CSCD 1998年第4期261-264,共4页
随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:... 随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 展开更多
关键词 分子束外延 表面钝化 界面物理 外延材料 晶体管
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Si(337)──另一个较稳定的高密勒指数晶面
13
作者 邢益荣 Ranke,W 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期136-138,T001,共4页
我们的LEED实验结果发现:偏离(112)约4°的St(337)表面,在超高真空中经Xe离子轰击并加~800℃退火后,呈现较清晰的(1×1)结构.在同样条件下,Si(112)表面没有产生好的LEED图样,从而... 我们的LEED实验结果发现:偏离(112)约4°的St(337)表面,在超高真空中经Xe离子轰击并加~800℃退火后,呈现较清晰的(1×1)结构.在同样条件下,Si(112)表面没有产生好的LEED图样,从而预料:Si(337)可能是异质外延GaAs和GaP等极性化台物半导体的好衬底. 展开更多
关键词 硅晶体 指数晶面 稳定 高密勒指数
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掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性
14
作者 卞留芳 张春光 +3 位作者 陈维德 许振嘉 屈玉华 刁宏伟 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期395-398,共4页
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-Si... 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响。结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。 展开更多
关键词 ER SIC 硅基材料 发光 稀土
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非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池 被引量:16
15
作者 郝会颖 孔光临 +3 位作者 曾湘波 许颖 刁宏伟 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期3327-3331,共5页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了p_i_n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5(100mW cm2)的光强下曝光800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%. 展开更多
关键词 太阳能电池 硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 相变 过渡区域 两相结构 光电性质 光致变化 光电特性 开路电压 转换效率 稳定性 甚高频 微结构 本征层 微晶硅 非晶硅 AM1 制备 测量
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等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 被引量:5
16
作者 曾湘波 廖显伯 +8 位作者 王博 刁宏伟 戴松涛 向贤碧 常秀兰 徐艳月 胡志华 郝会颖 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期4410-4413,共4页
用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法... 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 。 展开更多
关键词 纳米线 PECVD法 等离子体增强化学气相沉积法 衬底 PN结 掺硼 纳米量级 硼烷 硅源 掺杂
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微量掺碳nc-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层 被引量:3
17
作者 许颖 刁宏伟 +4 位作者 张世斌 励旭东 曾湘波 王文静 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期2915-2919,共5页
采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333K,353K和373K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加... 采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333K,353K和373K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94V. 展开更多
关键词 光学带隙 纳米硅 薄膜 太阳能电池
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