期刊文献+
共找到24篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器 被引量:1
1
作者 马晓乐 郭杰 +4 位作者 郝瑞亭 魏国帅 王国伟 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期569-575,共7页
采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面... 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 GaSb体材料 中短双色 红外探测 侧壁电阻率 低串扰
下载PDF
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究 被引量:1
2
作者 罗向东 徐仲英 +3 位作者 潘钟 李联合 林耀望 葛维琨 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期25-29,共5页
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局... 用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6~ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b) 展开更多
关键词 GaNAs 带阶 光荧光谱 光跃迁 能带弯曲参数 单量子阱 GAAS 发光性质
下载PDF
GaNAs的声子拉曼散射研究 被引量:1
3
作者 江德生 孙宝权 +2 位作者 谭平恒 李连 和潘钟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期11-14,共4页
对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带... 对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比 。 展开更多
关键词 GaNAs 拉曼散射 局域模振动 分子束外延生长 带模振动 近红外光电子学
下载PDF
横向点间耦合对双量子点Aharonov—Bohm结构输运性质的影响
4
作者 江兆潭 刘伟 +3 位作者 杨富华 游建强 李树深 郑厚植 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期38-42,共5页
文中所研究的结构Aharonov—Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响。结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏... 文中所研究的结构Aharonov—Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响。结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值,点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化。 展开更多
关键词 量子点 AB效应 点间耦合
下载PDF
纤锌矿CdSe量子椭球的电子结构和光学性质
5
作者 夏建白 李新征 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期34-37,共4页
在有效质量包络函数理论的框架下,经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算,给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释,对量子椭球发光的偏振性给出了解释,... 在有效质量包络函数理论的框架下,经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算,给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释,对量子椭球发光的偏振性给出了解释,分别讨论了晶格分裂场,温度和短轴半径对偏振度的影响,最后计算了长短轴对能带的影响。 展开更多
关键词 量子椭球 CDSE 电子结构 偏振光
下载PDF
a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究 被引量:9
6
作者 王永谦 陈长勇 +6 位作者 陈维德 杨富华 刁宏伟 许振嘉 张世斌 孔光临 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2418-2422,共5页
以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)法制备的氢化非晶硅氧 (a Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究 .结果表明a Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构 ,富Si相镶嵌于富O相之中 ,其... 以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)法制备的氢化非晶硅氧 (a Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究 .结果表明a Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构 ,富Si相镶嵌于富O相之中 ,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅 (a Si) ,富O相为Si,O ,H三种原子随机键合形成的SiOx∶H(x≈ 1.35 ) .经 115 0℃高温退火 ,薄膜中的H全部释出 ;SiOx∶H (x≈ 1.35 )介质在析出部分Si原子的同时发生结构相变 ,形成稳定的SiO2 和SiOx(x≈ 0 .6 4) ;在析出的Si原子参与下 ,薄膜中a Si颗粒固相晶化的成核和生长过程得以进行 ,形成纳米晶硅 (nc Si) .研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构 ,在nc Si颗粒表面和外围SiO2 介质之间存在着纳米厚度的SiOx(x≈ 0 .6 4) 展开更多
关键词 a-Si:O:H 微结构 高温退火 薄膜 氢化非晶硅氧
原文传递
氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究 被引量:1
7
作者 马智训 廖显伯 +4 位作者 程文超 岳国珍 王永谦 何杰 孔光临 《中国科学(A辑)》 CSCD 1998年第6期555-561,共7页
采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0~ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)... 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0~ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a Si原子团和Si纳米晶粒有关 . 展开更多
关键词 光致发光 非晶态 氧化硅 薄膜 微结构
原文传递
纳米硅薄膜的Raman光谱 被引量:15
8
作者 徐刚毅 王天民 +4 位作者 李国华 王金良 何宇亮 马智训 郑国珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1170-1176,共7页
通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍... 通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 . 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 喇曼谱 声子限制模型
下载PDF
大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器(英文) 被引量:6
9
作者 廖永平 张宇 +6 位作者 杨成奥 黄书山 柴小力 王国伟 徐应强 倪海桥 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期672-675,共4页
通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000... 通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续激射功率达到1.058W,当注入电流为0.5A时,峰值波长为1.977μm,最大能量转换效率为20.2%,在脉冲频率为1000Hz,占空比为5%的脉冲工作模式下,最大激射功率为2.278W. 展开更多
关键词 大功率 激光二极管 中红外 量子阱
下载PDF
氢化非晶硅氧薄膜微结构 被引量:2
10
作者 王永谦 廖显伯 +7 位作者 刁宏伟 陈长勇 张世斌 徐艳月 陈维德 孔光临 程文超 李国华 《中国科学(A辑)》 CSCD 北大核心 2002年第6期531-537,共7页
以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧(a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化... 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧(a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO(:H),SiO(:H),SiO2(:H)和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅(a-Si)颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变. 展开更多
关键词 氢化非晶硅氧薄膜 a-SiOx:H 微结构 键构型 PECVD法 发光机制 薄膜结构
原文传递
氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨 被引量:1
11
作者 马智训 廖显伯 +5 位作者 何杰 程文超 岳国珍 王永谦 刁宏伟 孔光临 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期162-167,共6页
研究了不同氧含量的a-SiOx∶H薄膜的室温光致发光,发现每一个样品的发光谱均由两个Gausian分谱组成.一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰;另一个是峰位固定在大约835nm的伴峰.结合对IR谱和微区Raman谱的分... 研究了不同氧含量的a-SiOx∶H薄膜的室温光致发光,发现每一个样品的发光谱均由两个Gausian分谱组成.一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰;另一个是峰位固定在大约835nm的伴峰.结合对IR谱和微区Raman谱的分析,我们认为主峰可能与膜中的a-Si颗粒有关,而伴峰与Si过剩或氧欠缺引起的缺陷有关. 展开更多
关键词 光致发光 氧化硅 半导体薄膜技术
下载PDF
纳米硅薄膜中的量子点特征 被引量:12
12
作者 何宇亮 余明斌 +5 位作者 吕燕伍 戎霭伦 刘剑 徐士杰 罗克俭 奚中和 《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》 1996年第6期700-704,共5页
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3~6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(~20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Co... 从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3~6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(~20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。 展开更多
关键词 纳米硅 量子点 量子隧穿作用 薄膜 半导体
下载PDF
Fabrication of an AlAs/In_(0.53)Ga_ ( 0.47)As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications
13
作者 马龙 黄应龙 +3 位作者 张杨 王良臣 杨富华 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期959-962,共4页
A high performance AlAs/In0.53 Ga0.47 As/InAs resonant tunneling diode (RTD) on InP substrate is fabricated by inductively coupled plasma etching. This RTD has a peak-to-valley current ratio (PVCR) of 7. 57 and a ... A high performance AlAs/In0.53 Ga0.47 As/InAs resonant tunneling diode (RTD) on InP substrate is fabricated by inductively coupled plasma etching. This RTD has a peak-to-valley current ratio (PVCR) of 7. 57 and a peak current density Jp = 39.08kA/cm^2 under forward bias at room temperature. Under reverse bias, the corresponding values are 7.93 and 34.56kA/cm^2 . A resistive cutoff frequency of 18.75GHz is obtained with the effect of a parasitic probe pad and wire. The slightly asymmetrical current-voltage characteristics with a nominally symmetrical structure are also discussed. 展开更多
关键词 resonant tunneling diode inductively coupled plasma current-voltage characteristics high frequency
下载PDF
ZnO/ZnS核-壳量子点的双光子吸收效应(英文) 被引量:4
14
作者 刘姝妤 钟绵增 +4 位作者 孟秀清 李京波 王沅倩 肖思 何军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期249-255,共7页
利用飞秒激光Z-扫描与泵浦-探测技术,研究了室温下ZnO/ZnS与ZnO/ZnS/Ag核-壳胶体量子点的双光子吸收效应。研究发现:ZnO基核-壳量子点的本征双光子吸收系数比ZnO体材料增大了3个数量级;测量得到的660 nm处的ZnO/ZnS核-壳量子点双光子吸... 利用飞秒激光Z-扫描与泵浦-探测技术,研究了室温下ZnO/ZnS与ZnO/ZnS/Ag核-壳胶体量子点的双光子吸收效应。研究发现:ZnO基核-壳量子点的本征双光子吸收系数比ZnO体材料增大了3个数量级;测量得到的660 nm处的ZnO/ZnS核-壳量子点双光子吸收截面约为4.3×10-44cm4·s·photon-1,比相应的ZnS、ZnS e及CdS量子点大2个数量级;当ZnO/ZnS核-壳量子点镶嵌了银纳米点时,非线性吸收有所增强。ZnO基复合纳米结构的双光子吸收增强可归因于量子限域与局域场效应。 展开更多
关键词 双光子吸收 ZnO/ZnS核-壳量子点 Z-扫描技术
下载PDF
RTD与PHEMT集成的几个关键工艺 被引量:2
15
作者 王建林 刘忠立 +3 位作者 王良臣 曾一平 杨富华 白云霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期390-394,共5页
在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测... 在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测试表明 :在室温下 ,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1 78;PHEMT器件的最大跨导约为 12 0mS/mm ,在Vgs=0 5V时的饱和电流约为 2 70mA/mm .这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础 . 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 集成电路 工艺
下载PDF
CoFeB/AlO_x/Ta及AlO_x/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究 被引量:2
16
作者 陈希 刘厚方 +1 位作者 韩秀峰 姬扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期470-475,共6页
本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下,底层CoFeB/AlOx/Ta结构和顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性.在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线,证明了其垂直易磁化效应的存在;而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中... 本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下,底层CoFeB/AlOx/Ta结构和顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性.在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线,证明了其垂直易磁化效应的存在;而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中却没有观察到类似的磁滞回线.对这种对称结构中的非对称现象进行了分析.研究还发现不同的氧化层和铁磁层厚度均会影响层间界面相互作用的强度,从而导致结构的垂直磁化曲线矫顽力大小发生改变.这项研究将对基于AlOx氧化层垂直磁隧道结的研制具有重要的意义. 展开更多
关键词 垂直磁各向异性 磁隧道结 随机存储器
原文传递
利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器(英文) 被引量:1
17
作者 黄书山 杨成奥 +5 位作者 张宇 谢圣文 廖永平 柴小力 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期653-656,共4页
利用高阶Bragg光栅成功制备出Ga Sb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构. 16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17. 5 dB的单模激光输出. CW状态下室温最大单模输出... 利用高阶Bragg光栅成功制备出Ga Sb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构. 16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17. 5 dB的单模激光输出. CW状态下室温最大单模输出功率超过10 mW.随着注入电流变化,器件表现出出色的波长稳定性.在整个注入电流范围内,器件都保持单横模工作状态. 24阶Bragg光栅器件室温SMSR为22. 5 dB.器件的激射波长都在2. 0μm左右. 展开更多
关键词 激光二极管 量子阱 红外
下载PDF
Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure 被引量:1
18
作者 王建林 王良臣 +3 位作者 曾一平 刘忠立 杨富华 白云霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-5,共5页
A new material structure with Al 0.22Ga 0.78As/In 0.15Ga 0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In 0.15- Ga 0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device... A new material structure with Al 0.22Ga 0.78As/In 0.15Ga 0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In 0.15- Ga 0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device is fabricated.RTDs DC characteristics are measured at room temperature. Peak-to-valley current ratio and the available current density for RTDs at room temperature are computed.Analysis on these results suggests that adjusting material structure and optimizing fabrication processes will be an effective means to improve the quality of RTDs. 展开更多
关键词 resonant tunneling diodes quantum effect DC characterization
下载PDF
交错梳齿型静电驱动MEMS微镜的设计与制作
19
作者 李晓明 郝瑞亭 +1 位作者 倪海桥 牛智川 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2022年第2期9-13,共5页
设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键合顶层硅片,并将顶层硅片减薄抛光至目标厚度,再在其上进行移动梳齿组和镜面结构的刻蚀.该工艺既兼顾了SV... 设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键合顶层硅片,并将顶层硅片减薄抛光至目标厚度,再在其上进行移动梳齿组和镜面结构的刻蚀.该工艺既兼顾了SVC型微镜偏转角度较大的优点,又避免了使用SOI衬底导致背面套刻精度差的缺点,提高了整个结构的稳定性,该微镜的最大理论角度可达24.7°. 展开更多
关键词 光刻 键合 垂直交错梳齿 MEMS 微镜
下载PDF
分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究 被引量:1
20
作者 徐晓华 牛智川 +6 位作者 倪海桥 徐应强 张纬 贺正宏 韩勤 吴荣汉 江德生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2950-2954,共5页
报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
关键词 分子束外延 量子阱 二型发光 砷化镓半导体
原文传递
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部