疲劳内耗仪的控制微机的更新及功能开发

介绍了对中法合作研制的疲劳内耗仪微机控制部分的改进，采用通用的ＩＢＭ－３８６，改进了控制及实验数据处理的方式。

退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响

采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织 。