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溶液激发方式对化学水浴法沉积CdS薄膜生长的影响
被引量:
2
1
作者
彭星煜
古宏伟
+3 位作者
屈飞
丁发柱
张腾
王洪艳
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期762-769,共8页
化学水浴法是目前制备CdS薄膜的主流方法之一,其中对溶液实施不同的溶液激发方式会对薄膜的性能产生很大影响。采用4种不同的溶液激发方式:搅拌法、静置法、超声法、摇晃法以化学水浴法沉积了CdS薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪、扫描电...
化学水浴法是目前制备CdS薄膜的主流方法之一,其中对溶液实施不同的溶液激发方式会对薄膜的性能产生很大影响。采用4种不同的溶液激发方式:搅拌法、静置法、超声法、摇晃法以化学水浴法沉积了CdS薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等系统地研究了这4种不同的溶液激发方式对CdS薄膜的生长速度、晶体结构与表面形貌的影响。实验结果表明,随着沉积时间增加,CdS薄膜的厚度都会逐渐增加并最终趋于一恒定值。搅拌法与摇晃法制备的CdS薄膜具有更快的生长速度、更大的颗粒尺寸以及更加粗糙的表面形貌。采用静置法沉积薄膜在沉积时间较短时,薄膜表面存在大面积的由尺寸12 nm的小颗粒构成的区域。随着沉积时间增加,该区域面积逐渐减小进而消失。通过对薄膜表面形貌随沉积时间增加的演化过程的研究,在一定浓度下CdS薄膜的生长是离子-离子生长机制。通过对比不同溶液激发方式沉积的CdS薄膜的表面形貌,分析了不同溶液激发方式对CdS薄膜形貌的影响。
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关键词
CDS
化学水浴法
薄膜
生长机制
原文传递
题名
溶液激发方式对化学水浴法沉积CdS薄膜生长的影响
被引量:
2
1
作者
彭星煜
古宏伟
屈飞
丁发柱
张腾
王洪艳
机构
中国科学院大学电工研究所应用超导重点实验室
中国科学院大学
研究
生院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期762-769,共8页
基金
国家自然科学基金(21101151)
中国科学院电工研究所创新人才项目(O940171C41)资助
文摘
化学水浴法是目前制备CdS薄膜的主流方法之一,其中对溶液实施不同的溶液激发方式会对薄膜的性能产生很大影响。采用4种不同的溶液激发方式:搅拌法、静置法、超声法、摇晃法以化学水浴法沉积了CdS薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等系统地研究了这4种不同的溶液激发方式对CdS薄膜的生长速度、晶体结构与表面形貌的影响。实验结果表明,随着沉积时间增加,CdS薄膜的厚度都会逐渐增加并最终趋于一恒定值。搅拌法与摇晃法制备的CdS薄膜具有更快的生长速度、更大的颗粒尺寸以及更加粗糙的表面形貌。采用静置法沉积薄膜在沉积时间较短时,薄膜表面存在大面积的由尺寸12 nm的小颗粒构成的区域。随着沉积时间增加,该区域面积逐渐减小进而消失。通过对薄膜表面形貌随沉积时间增加的演化过程的研究,在一定浓度下CdS薄膜的生长是离子-离子生长机制。通过对比不同溶液激发方式沉积的CdS薄膜的表面形貌,分析了不同溶液激发方式对CdS薄膜形貌的影响。
关键词
CDS
化学水浴法
薄膜
生长机制
Keywords
CdS
chemical bath deposition
thin film
growth mechanism
分类号
TB304.25 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溶液激发方式对化学水浴法沉积CdS薄膜生长的影响
彭星煜
古宏伟
屈飞
丁发柱
张腾
王洪艳
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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