基于原位等离子体氮化及低压化学气相沉积-Si_3N_4栅介质的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的研究

通过对低压化学气相沉积(LPCVD)系统进行改造,实现在沉积Si_3N_4薄膜前的原位等离子体氮化处理,氮等离子体可以有效地降低器件界面处的氧含量和悬挂键,从而获得了较低的LPCVD-Si_3N_4/GaN界面态,通过这种技术制作的MIS-HEMTs器件,在扫描栅压范围V_(G-sweep)=(-30 V,+24 V)时,阈值回滞为186 mV,据我们所知为目前高扫描栅压V_(G+)(>20 V)下的最好结果.动态测试表明,在400 V关态应力下,器件的导通电阻仅仅上升1.36倍(关态到开态的时间间隔为100μs).

基于时间戳的FTL实现的连续数据恢复方法

基于FLASH的存储系统复写旧数据时需要通过地址映射层(flash translation layer,FTL)分配新的写入地址,因此旧的数据在一段时间内仍存在于系统中,在这样的系统上实现连续数据保护(continuous data protection,CDP),只需找到旧的映射信息,不需额外保存数据的更新信息。利用FLASH的带外区(out of band,OOB)记录时间戳,在FTL的映射项中增加时间戳信息,在不跟踪映射表每次更新的情况下,达到数据快速恢复的目的。该方法降低了对存储系统性能的影响,实现了快速的数据恢复响应。