ⅢA元素掺杂对ZnO电子结构的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理缀加投影波赝势法,分别对ZnO、掺B、A1、GaI、n的ZnO的电子结构进行计算。与未掺杂ZnO相比,ⅢA族元素掺杂ZnO的光学带隙变宽,可见光透光能力增强、费米能级进入导带,导电能力提高,适合作透明导电膜,其中Ga掺杂ZnO的透明性和导电性更好,最适合做透明导电膜。