-
题名电子束曝光中的邻近效应修正技术
被引量:11
- 1
-
-
作者
刘明
陈宝钦
张建宏
李友
-
机构
中国科学院微电子中心光掩模实验室
-
出处
《微细加工技术》
EI
2000年第1期16-20,共5页
-
文摘
邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正如剂量调整、图形调整等。我们以JBX 5 0 0 0LS为手段 ,用三种方法 :1图形尺寸修正 ,2大小图形分类和剂量分配 ,3图形分层和大小电流混合曝光 ,对邻近效应进行了修正 ,均取得较好效果。
-
关键词
电子束曝光
邻近效应
集成电路
-
Keywords
Electron beam lithography
Proximity effect
-
分类号
TN405.7
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名PREVAIL——下一代电子束投影曝光技术
被引量:1
- 2
-
-
作者
王云翔
刘明
陈宝钦
李友
张建宏
张卫红
-
机构
中国科学院微电子中心光掩模实验室
-
出处
《微细加工技术》
2002年第2期1-4,共4页
-
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 990 6 0 0 6 )
-
文摘
PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。
-
关键词
PREVAIL
电子束投影曝光技术
光学光刻技术
NGL
-
Keywords
s:PREVAIL
E-beam projection lithography
-
分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
-