一种新的散射电子空间输运坐标转换方法

提出一种新的随动坐标系矢量转换方法,给出用于转换散射电子空间输运坐标的矩阵方程。 该方程具有递推的形式,计算方便,并且只涉及乘法运算,不会引起计算上的困难,将其用于PMMA-Si中电子散射过程的Monte Carlo模拟,结果表明可以有效节约机时,提高模拟效率,明显优于习惯上使用的静态坐标系方程。

Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹

建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截面值 ;低能电子非弹性散射能量损失采用 Joy修正的 Bethe公式计算 ,并对其加以改进 ,引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念 ,利用线性插值方法给出光刻胶 PMMA对应的 k值 .对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法 .在此基础上运用 Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在 PMMA-衬底中的复杂散射过程 .模拟结果表明低能电子束曝光具有曝光效率高、邻近效应低、对衬底损伤轻等优点 ,与 L ee、Peterson等人通过实验得出的结论相符 .

电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟

经过严格论证 ,提出一种计算简便 ,易于软件实现的电子束束斑直径定义方法 ,在此基础上运用MonteCarlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟 ,给出模拟电子数分别为50 0 0、2 0 0 0 0、50 0 0 0、1 0 0 0 0 0时的模拟结果。

电子束曝光的Monte Carlo模拟

建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型 ,运用MonteCarlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA -衬底中的散射过程 ,研究不同曝光条件对沉积能密度的影响 ,获得的沉积能分布规律是 :有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层 。