自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．

电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用

采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫钝化的影响．结果表明，硫钝化ＩｎＰ表面经电子束辐照可以促使Ｓ与ＩｎＰ中的Ｉｎ更好的化合．

TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压５伏．

用相移掩模光刻技术制作大相对孔径二元透镜的研究

简述相移掩模的基本原理，提出了用相移掩模光刻技术制作大相对孔径的二元透镜的设想。通过数值模拟对相移掩模光刻技术做了探讨，给出了适合国内ｇ－线光刻机的相移掩模的设计参数。

适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究

多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论．这套技术已成功地应用放“0．8μm双层金属布线CMOS计算机主板时钟产生器专用集成电路”的研制，并获得较好芯片成品率．

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础。如果能将它们集成在一个芯片上，信息传输速度，储存和处理能力将得到大大提高，它将使信息技术发展到一个全新的阶段，但是，现在的集成电路是采用硅材料，而发光器件则用ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体。Ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体集成电路，虽然经过多年的研制，但至今还不成熟。因此，研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究，包括掺铒硅、多孔硅、纳米硅以及 Ｓｉ／ＳｉＯ_２等超晶格结构材料，并展望了这些不同硅基发光材料和发光器件在光电集成中的发展前景。

离子探针分析中质量干扰离子计数测量方法的研究

因离子探针在测量Si 中注入杂质的浓度分布时不能将被测二次离子计数n_i(x_,t)、各种干扰离子(质量干扰离子、边缘效应离子及再沉积效应离子等)计数n_(in)(x_i,t)及仪器噪声计数n_n(x_i,t)分开,实测二次离子计数N_i(x_i,t)是三者之和。按N_i(x_i,t)算出的注入杂质浓度分布常具有严重的误差,甚至是假象,故测出各种干扰离子计数及n_n(x_i,t),并将其与n_i(x_i,t)分开是待解决的重要课题。本文提出了一个测量质量干扰离子计数和仪器噪声计数的分析方法,并依此首次测出了当对要测二次离子(11)~B^+检测时所遇到的质量干扰离子计数和仪器噪声计数的统计平均值(?)_m((11)~B^+,t)与(?)_n((11)~B^+,t)。实验发现两者皆与每道采集时间t 成正比。测出(?)_m((11)~B^+,t)与(?)_n((11)~B^+,t)为测量其它干扰离子计数创造了必要条件。文后对质量干扰离子的来源和组成作了说明。

一种利用自举效应的Charge-Recovery逻辑电路

提出了一种新的 semi- adiabatic逻辑电路—— Bootstrap Charge- Recovery Logic( BCRL) .该电路由 semi- adiabatic电路完成逻辑运算 ,而由自举的 NMOS管驱动负载 ,对负载的操作为 full- adiabatic过程 .BCRL电路由两相无交叠脉冲时钟电源供电 ,输出为全摆幅脉冲信号 .比较了 BCRL反相器驱动电容负载时与静态 CMOS电路及部分文献中的 semi- adiabatic电路的功耗差别 .应用 0 .65μm CMOS工艺器件参数的模拟结果表明 ,BCRL电路可以在1 0 0 MHz脉冲电源频率下正常工作 。

相移掩模方法及其一维数值模拟

相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理，用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性，导出了一维成象的简化公式，对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。

MOCVD过程中回流现象的数值模拟

在金属有机物化学汽相淀积过程中，反应器中的回流现象严重影响生长层的界面陡峭性．本文从关于ＭＯＣＶＤ的流体力学基本方程出发，用二维有限差分和流函数涡量法求解方程，取得了不同条件下气流场的流谱．计算结果表明，减小反应器坛强、增加运载气体流量等方法可以消除回流．本文所用的流函数－涡量法具有简单、明了，运算速度快等优点．