同步辐射X射线光刻实验研究

同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。

同步辐射X射线光刻计算机模拟研究

利用BeamPropagationMethod（BPM）方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应，并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0．1μm，而且这时金吸收体厚度为0．45μm就可以了，而不是通常认为的1．0μm。