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绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究
被引量:
3
1
作者
谭骥
朱阳军
+5 位作者
卢烁今
田晓丽
滕渊
杨飞
张广银
沈千行
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第15期253-259,共7页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容(即米勒电容)充电的过程.本文提出一种解析模型,通过计算米勒电容值随时间的变化来预测IGBT在关断过程中集电极电压值的变化.在对米勒电容的计算上,不仅考虑了电容值与其端电压之间的依赖关系,同时也考虑到关断过程中耗尽区存在的大量载流子对电容值的影响,使得模型更加准确.最后,运用数值计算仿真软件对绝缘栅双极型晶体管的关断过程进行了模拟,对本文提出的模型进行了验证.仿真结果与模型计算结果显示出良好的一致性.
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
感性负载
电压变化率
米勒电容
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职称材料
Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
2
作者
李佳帅
张静
+2 位作者
杨红
刘倩倩
闫江
《电子器件》
CAS
北大核心
2018年第6期1362-1366,共5页
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电...
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂Hf O2的电学特性达到最优,其EOT为0.88 nm、Vfb为0.46 V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT(Equivalent Oxide Thickness)可以满足14/16(nm)器件的需要(EOT<1 nm),Ig比相同EOT的Hf O2材料小3个数量级。
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关键词
微电子
Al掺杂的HfO2
退火工艺
结晶
C-V特性
高k
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职称材料
基于局部特征词袋模型人体动作识别关键帧选取方法
被引量:
11
3
作者
柳似霖
王颖
吴峰
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期265-270,共6页
针对原始动作视频帧数多、信息冗余、计算量大的问题,提出了基于离散粒子群算法的人体动作识别关键帧选取方法。提取视频图像中的时空兴趣点建立视觉词典,统计视频图像中视觉词汇概率分布,采用离散粒子群算法进行关键帧选取,引入原始视...
针对原始动作视频帧数多、信息冗余、计算量大的问题,提出了基于离散粒子群算法的人体动作识别关键帧选取方法。提取视频图像中的时空兴趣点建立视觉词典,统计视频图像中视觉词汇概率分布,采用离散粒子群算法进行关键帧选取,引入原始视频和选取的关键帧的视觉词汇概率分布向量的夹角余弦值,作为最优适应度函数评价关键帧选取前后的动作特征相似性。采用离散粒子群关键帧选取方法对KTH和Weizmann数据库进行实验验证。实验结果显示,该文提出的关键帧选取算法可有效去除动作视频中的冗余帧,提高了动作识别效率,动作识别准确率保持89.17%和98.89%不变。
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关键词
时空兴趣点
关键帧
离散粒子群
视觉词汇
动作识别
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职称材料
题名
绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究
被引量:
3
1
作者
谭骥
朱阳军
卢烁今
田晓丽
滕渊
杨飞
张广银
沈千行
机构
中国科学院
微电子
研究所
江苏物联网
研究
发展中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第15期253-259,共7页
基金
国家重大科技专项(批准号:2013ZX02305-005-002)
国家自然科学基金(批准号:51490681)
省院合作高技术产业化专项资金项目(批准号:2016SYHZ0026)资助的课题~~
文摘
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容(即米勒电容)充电的过程.本文提出一种解析模型,通过计算米勒电容值随时间的变化来预测IGBT在关断过程中集电极电压值的变化.在对米勒电容的计算上,不仅考虑了电容值与其端电压之间的依赖关系,同时也考虑到关断过程中耗尽区存在的大量载流子对电容值的影响,使得模型更加准确.最后,运用数值计算仿真软件对绝缘栅双极型晶体管的关断过程进行了模拟,对本文提出的模型进行了验证.仿真结果与模型计算结果显示出良好的一致性.
关键词
绝缘栅双极型晶体管
感性负载
电压变化率
米勒电容
Keywords
insulated gate bipolar transistor, inductive load, collector voltage slope, miller capacitance
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
2
作者
李佳帅
张静
杨红
刘倩倩
闫江
机构
北方工业
大学
电子
信息工程
学院
中国科学院微电子研究所中国科学院大学
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2018年第6期1362-1366,共5页
基金
Ge基MOS器件迁移率的远程库伦散射机制的研究项目(61674003)。
文摘
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂Hf O2的电学特性达到最优,其EOT为0.88 nm、Vfb为0.46 V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT(Equivalent Oxide Thickness)可以满足14/16(nm)器件的需要(EOT<1 nm),Ig比相同EOT的Hf O2材料小3个数量级。
关键词
微电子
Al掺杂的HfO2
退火工艺
结晶
C-V特性
高k
Keywords
microelectronics
Al doped HfO 2
post deposition annealing
crystallization
C-V characteristics
high k
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于局部特征词袋模型人体动作识别关键帧选取方法
被引量:
11
3
作者
柳似霖
王颖
吴峰
机构
北京化工
大学
中国科学院
微电子
研究所
&
中国科学院大学
国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期265-270,共6页
基金
国家自然科学基金(61340056)
北京化工大学中日友好医院联合基金(PYBZ1804)
文摘
针对原始动作视频帧数多、信息冗余、计算量大的问题,提出了基于离散粒子群算法的人体动作识别关键帧选取方法。提取视频图像中的时空兴趣点建立视觉词典,统计视频图像中视觉词汇概率分布,采用离散粒子群算法进行关键帧选取,引入原始视频和选取的关键帧的视觉词汇概率分布向量的夹角余弦值,作为最优适应度函数评价关键帧选取前后的动作特征相似性。采用离散粒子群关键帧选取方法对KTH和Weizmann数据库进行实验验证。实验结果显示,该文提出的关键帧选取算法可有效去除动作视频中的冗余帧,提高了动作识别效率,动作识别准确率保持89.17%和98.89%不变。
关键词
时空兴趣点
关键帧
离散粒子群
视觉词汇
动作识别
Keywords
spatio-temporal interest points
key frames
discrete particle swarm
visual vocabulary
action recognition
分类号
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究
谭骥
朱阳军
卢烁今
田晓丽
滕渊
杨飞
张广银
沈千行
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
下载PDF
职称材料
2
Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
李佳帅
张静
杨红
刘倩倩
闫江
《电子器件》
CAS
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
3
基于局部特征词袋模型人体动作识别关键帧选取方法
柳似霖
王颖
吴峰
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2019
11
下载PDF
职称材料
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