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题名蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制
被引量:3
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作者
邵刚
刘新宇
和致经
刘键
魏珂
陈晓娟
吴德馨
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机构
中国科学院微电子研究所四室
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出处
《电子器件》
CAS
2004年第3期381-384,共4页
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基金
国家重点基础研究发展计划资助项目 ( 2 0 0 2 CB3 1 1 90 3 )
中国科学院重点创新资助项目 ( KGCX2 -SW-1 0 7)
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文摘
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。
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关键词
ALGAN/GAN
HEMT
微波功率
单位截止频率
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Keywords
AlGaN/GaN
heterostructure field effect transistors(HEMTs)
microwave power
unit cutoff frequency
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分类号
TN325
[电子电信—物理电子学]
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