晶圆激光切割技术的研究进展

综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景。与刀片切割技术相比,激光切割技术具有切割质量好、切割速度快等优点。详细介绍了以进一步改善晶圆切割质量和提高切割速度为目的的几类整形激光切割技术,包括微水导激光切割技术、隐形切割技术、多焦点光束切割、"线聚焦"切割、平顶光束切割和多光束切割等。随着技术的不断完善、切割设备的不断成熟,整形激光切割技术在未来的晶圆切割领域将具有广阔的应用前景。

三维物体的重建方法

综述了三维物体重建的各种方法。首先介绍被动还原重建的几种方法,指出了它们的缺陷,即像素匹配问题。接着介绍了从二维坐标空间转化到三维坐标空间所要遵从的对极几何限制,并通过数学推导得出坐标转化表达式。在此基础上重点讨论了三维物体主动还原重建方式,特别是结构光还原的方法,通过结构光的引入,能够较好地解决像素匹配问题,提高了还原的准确性,减少了拍照的次数,有利于动态物体的重建。根据双色反射模型,通过让系统的光路满足反射定理,且角度为60°,可改善主动还原重建方法对物体颜色限制在中性色的条件。最后讨论了精确匹配和消除强光的方法。

532 nm平顶激光光束用于硅晶圆开槽的研究

根据衍射原理,设计并制备了平顶整形元件,将激光能量由高斯分布转变为平顶分布。利用532nm脉冲激光进行了硅晶圆激光划片实验,研究了激光能量、划片速度及聚焦位置对划片效果的影响。结果表明,基于平顶光束的激光划片,可实现宽约为16μm、深约为18μm的划槽,且槽底部平坦,槽壁陡直;与高斯光束相比,平顶光束下热影响区明显减小。

AlN陶瓷激光金属化的研究进展

介绍了氮化铝(AlN)陶瓷激光金属化的进展和金属化过程中的问题以及主要解决方法。激光金属化利用激光的热效应使AlN表面发生热分解,直接生成金属导电层,该方法具有成本低、效率高、设备维护简单等优点。进一步介绍了激光器、光束质量、工艺参数等的优化方法以及AlN陶瓷金属化的应用,并对AlN陶瓷激光金属化在未来的发展进行了展望。

等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜

采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了Ga N多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,等离子增强原子层沉积技术生长Ga N的温度窗口为210—270?C,薄膜在较高生长温度下呈多晶态,在较低温度下呈非晶态;薄膜中N元素与大部分Ga元素结合成N—Ga键生成Ga N,有少量的Ga元素以Ga—O键存在,多晶Ga N薄膜含有少量非晶态Ga_2O_3.