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1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制
被引量:
1
1
作者
汤益丹
李诚瞻
+5 位作者
史晶晶
白云
董升旭
彭朝阳
王弋宇
刘新宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期266-273,共8页
基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提...
基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2(以芯片面积计算)。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏(H3TRB)和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。
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关键词
SiC结势垒肖特基(JBS)二极管
高温
大电流密度
反向漏电流
可靠性试验
下载PDF
职称材料
题名
1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制
被引量:
1
1
作者
汤益丹
李诚瞻
史晶晶
白云
董升旭
彭朝阳
王弋宇
刘新宇
机构
中国科学院微电子研究所高频高压器件研发中心
中国科学院
大学
株洲中车时代电气股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期266-273,共8页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601)
文摘
基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2(以芯片面积计算)。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏(H3TRB)和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。
关键词
SiC结势垒肖特基(JBS)二极管
高温
大电流密度
反向漏电流
可靠性试验
Keywords
SiC junction barrier Schottky (JBS) diode
high temperature
high current density
reverse leakage current
reliability test
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制
汤益丹
李诚瞻
史晶晶
白云
董升旭
彭朝阳
王弋宇
刘新宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
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