Eu(p-PBA)_3phen1/2H_2O的高分辨光谱和Raman光谱Eu(p-PBA)3phen1/2H2O的高分辨光谱和Raman光谱*张颖唐波金林培(北京师范大学化学系,北京100875)吕少哲黄世华(中国科学院激发

配合物Ｅｕ（ｐ－ＰＢＡ）３ｐｈｅｎ１／２Ｈ２Ｏ（ｐ－ＰＢＡ：对苯基苯甲酸酸根离子；ｐｈｅｎ：邻菲咯啉）在紫外光激发下，能发出很强的红色荧光．以Ｅｕ（Ⅲ）离子为光谱探针，７７Ｋ下测得其高分辨激发和发射光谱，选择激发配合物的５Ｄ０能级，得到两组不同的发光光谱，表明配合物中Ｅｕ（Ⅲ）离子有两种不同的化学环境．配合物的喇曼光谱中，羧基阴离子的反对称伸缩振动和对称伸缩振动谱带是明显分裂和带肩峰的宽带。

970nm LD激发Tm^(3+)、Yb^(3+)掺杂的MFT玻璃材料上转换发光的研究

设计并制备了一种Ｔｍ３＋、Ｙｂ３＋共掺杂的多氟化物调整碲酸盐（ＭＦＴ）玻璃材料，其组份为５０ＴｅＯ２－１４．９ＰｂＦ２－１０ＡＩＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－０．１Ｔｍ２Ｏ３－５Ｙｂ２Ｏ３测量了该玻璃系统的Ｒａｍａｎ散射光谱，在９７０ｎｍＬＤ激发下裸眼可以观察到很强的蓝色荧光，光谱测量证实这个蓝色发射（４７６ｎｍ）来源于１Ｇ４→３Ｈ６的跃迁，同时，还有两个较弱的红色发射源于１Ｇ４→３Ｈ４和３Ｆ４→３Ｈ６跃迁．测量并讨论了蓝色、红色上转换荧光强度与ＬＤ工作电流的关系．这个关系表明蓝色上转换发射需要三个光子参与，而红色（６６３ｎｍ）发射需要两个光子参与实现．

射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究

首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外／蓝峰的强度比有较大的差别．通过对电致发光光谱中红外／蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的光致发光光谱的红外／蓝峰强度比的对比研究，我们判断主要激发过程为从基质到Ｔｍ３＋中心的能量传递．

藻蓝蛋白(C-Pc)的三阶光学非线性和激发态弛豫

藻蓝蛋白（Ｃ－Ｐｃ）的三阶光学非线性和激发态弛豫＊刘志斌彭俊彪ａ）李文连（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ａ）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）邓湘君（吉林省生物研究所，长春１３００１２）关键词藻蓝蛋白，χ（３）值，...

Tm^(3+)和Er^(3+)共掺杂氟氧化物玻璃陶瓷材料结构和上转换发光性质的研究

报道了一种新的上转换氟氧化物玻璃陶瓷材料，组份为６５ＧｅＱ２－２５ＮａＦ－１０ＢａＦ２（ＭＦＧ）。研究了Ｔｍ３＋和Ｅｒ３＋共掺ＭＦＧ玻璃陶瓷中的发光性质。通过Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ 散射分析了ＭＦＧ玻璃陶瓷的结构性质。分别测量了Ｔｍ３＋和Ｅｒ３＋共掺ＭＦＧ玻璃及玻璃陶瓷和Ｅｒ３＋单掺ＭＦＧ玻璃中的红外发射谱（ｅｘ＝４８８ｎｍ）和上转换发射谱（ｅｘ＝９７８ｎｍ）。给出了稀土离子掺入微晶的证据：（１）和ＭＦＧ：１ｍｏｌ％Ｔｍ３＋、２ｍｏ１％Ｅｒ３＋玻璃相比，在９７８ｎｍＬＤ激发下，ＭＦＧ：１ｍｏｌ％Ｔｍ３＋、２ｍｏｌ％Ｅｒ３＋玻璃陶瓷中红色上转换发光大大增强，红光与绿光的比值大大提高。（２）在４８８ｎｍ激光激发下，玻璃陶瓷样品中Ｔｍ３＋离子１．７μｍ左右的发射光谱明显窄化。最后讨论了玻璃陶瓷这种结构对上转换发光的影响和其在上转换发光及光通信中的应用潜力。

纳米晶Y_2SiO_5∶Eu的浓度猝灭研究

报道了分别用溶胶－凝胶法合成的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米晶和用高温固相法合成常规尺度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ材料的光致发光光谱和猝灭浓度的实验研究．结果表明：纳米Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５比常规尺度的Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５有更高的猝灭浓度和更高的发光亮度．理论分析认为这是由于在纳米材料中能量共振传递被阻断和猝灭中心在各个纳米晶内分布的涨落造成的．这个结果为高亮度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米材料的实际开发应用展示了广阔前景．

纳米氧化锌粉体的制备及发光性质的研究

采用沉淀法制备纳米ZnO粉体 ,探讨了晶粒尺寸与反应浓度和热处理温度的关系 ,并对所得到的纳米ZnO粉体的发光性质进行了研究 ,对不同温度热处理的样品的发光性质做了比较。ZnO的可见发光机制的解释一直未有定论。一部分作者认为绿光是由氧空位引起的 ;另一部分认为是锌空位造成的。本文的实验结果揭示了可见发光的内部过程 ,肯定了双声子参与的发光过程 ,支持了绿光是由锌空位造成的这一观点。此外 ,用 2 30nm以下波长激发样品时 ,可见发光的行为明显不同于用 32 5nm以上的波长去激发同一样品时的发光情形。实验表明高能激发 ,样品能发白光 ,因此 。

化学合成法制备ZnS基纳米荧光粉研究

描述了一种生产ZnS:M[M=Mn,Cu,Cu(Al)]纳米荧光粉的化学合成方法.运用本方法通过调节巯基乙酸与甲基丙烯酸的摩尔比,可在1.8～3.0nm范围内控制纳米粒子的尺寸.选择面积的电子衍射和X射线衍射证明ZnS:M纳米荧光粉具有闪锌矿结构.透射电镜图像表明ZnS:M纳米荧光粉具有较好的尺寸分布.ZnS:Mn的PL谱表明纳米尺寸的ZnS:Mn与体材料相比具有较高的发光效率。

Eu^(3+):Y_2O_3纳米微粒的尺寸效应和表面态效应的研究

通过相同掺杂浓度但不同颗粒尺寸的Ｅｕ：Ｙ２Ｏ３纳米晶，和相同颗粒尺寸但掺杂浓度不同的纳米晶的发 光衰减曲线研究了表面态和限域作用对能量传递的影响。纳米晶与体材料相比，有更高的猝灭浓度，分析了纳 米材料中发光中心的猝灭浓度提高的原因。由于纳米材料与体材料相比，纳米晶中的缺陷密度很小，纳米晶中 有较少的体猝灭中心。选择合适的颗粒尺寸并对其进行表面修饰，将获得较高发光效率和较高的猝灭浓度。

离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究

报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1× 1 0 3Ω/□ ,可见光透过率大于 80 %的优质透明导电膜。实验表明氧离子辅助蒸发可增加氧化锌分子的能量 ,提高其迁移率 ,显著提高薄膜的致密程度 ;氧离子能使分解的锌原子充分氧化 ;离子轰击可平滑薄膜表面。总之 。

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。

纳米Y_2O_3:Eu荧光粉的光致发光研究

报道了用燃烧法制备的系列粒径的纳米Ｙ２Ｏ３∶Ｅｕ材料，对其进行了激发光谱，发射光谱，荧光寿命等测试．结果表明，随着纳米Ｙ２Ｏ３∶Ｅｕ粒径的变化，激发光谱、发射光谱、荧光寿命都发生了明显的变化，猝灭浓度有了明显的提高．通过分析，初步揭示了纳米Ｙ２Ｏ３∶Ｅｕ的光致发光光谱随粒径变化的规律．

邻菲绕啉对Tb（Ⅲ）、Eu（Ⅲ）水杨酸二元配合物荧光强度的影响研究

通过分析邻菲绕啉与Ｔｂ（Ⅱ）、Ｅｕ（Ⅱ）水杨酸二元、三元配合物的多种谱留数据、证实由于邻菲绕啉的最低三重态与Ｔｂ（Ⅱ）、Ｅｕ（Ⅱ）离子的第一激发态能级差的不同，使得邻菲绕啉够增强Ｅｕ（Ⅱ）离子的水杨酸二元配合物的荧光强度而减弱Ｔｂ（Ⅱ）离子的水杨酸二元配合物的荧光强度．

SrF_2晶体中Ho^(3+)-Ho^(3+)离子对的上转换发光研究

究了在连续可调谐红色染料激光激发下，掺杂Ｈｏ３＋离子的ＳｒＦ２单晶中Ｈｏ３＋Ｈｏ３＋对的上转换发光特性。Ｈｏ３＋Ｈｏ３＋离子对的上转换发光主要分布于：强５Ｆ３→５Ｉ８跃迁４８０ｎｍ蓝色发射，较强５Ｓ２，５Ｆ４→５Ｉ８跃迁的５４０ｎｍ绿色发射。给出了ＳｒＦ２晶体中Ｈｏ３＋离子发射光谱中不同能级跃迁的谱峰及所对应的跃迁。通过对样品的激发，发射光谱和发光的上升、衰减等过程的分析，研究了发光中心的结构，分析了Ｈｏ３＋上转换发光的机制。

铒离子在氟氧化物玻璃陶瓷中的上转换发光特性研究

用转移函数方法分析了Er3 + 在铒镱共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中的上转换发光过程 ,Er3 + 绿色辐射的上转换发光强度与泵浦激光功率的非平方关系是由于Er3 + 和Yb3 + 之间的强交叉弛豫过程引起的。讨论了在稀土离子共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中提高Er3 + 的上转换发光强度的几种方法。

纳米微晶X_1-Y_2SiO_5: Eu中两种发光中心之间的能量传递研究

稀土掺杂的硅酸盐是应用广泛的发光和光学材料．通过低温下格位选择激发的光致发光和衰减曲线测量，详细研究了纳米微晶Ｘ１－Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中两种发光中心之间的能量传递，给出了不同浓度下两种发光中心的发光衰减曲线和寿命。

氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究

论述了 ITO膜的导电及生长机理 ,讨论了离子辅助 ( IAD)电子枪蒸镀 ITO膜的方法中 ,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对 ITO膜光电性能的影响 ,在选择合适的工艺条件下制备ITO膜 ,电阻率约 3× 1 0 - 4 Ω· cm,可见光平均透过率高于 80 %。并用原子力显微镜 ( AFM)

玻璃基质中ZnS:Mn^(2+)纳米晶荧光瞬态行为研究

用发射、激发、时间分辨光谱和荧光衰减曲线测量，研究了玻璃基质中ＺｎＳＭｎ２＋纳米晶的荧光瞬态行为．发现材料中的３８９ｎｍ和４０４ｎｍ的蓝色发射不是通常报导的Ｄ－Ａ对自激活发光，而是Ｍｎ２＋的间隙态引起的变化的自激活发光．这与我们前面的光谱和ＥＰＲ谱实验结果是一致的．这种发射与Ｍｎ２＋间无能量传递．与ＺｎＳＭｎ２＋体粉末相比Ｍｎ２＋的４Ｔ１→６Ａ１的跃迁荧光寿命明显变短．这说明由于量子限域效应，在纳米晶中ＺｎＳ向Ｍｎ２＋能量传递速度加快。

ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射

77K下首次观测到了来自ZnCdSe ZnSe组合超晶格的受激发射过程。在组合超晶格中由于载流子转移过程的存在 。

ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究

用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ;