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(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究 被引量：6
1
作者 羊亿 栗红玉 +4 位作者 申德振 张吉英 吕有明 刘益春 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期329-333,共5页
设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结... 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。 展开更多
关键词 复合量子阱 激子隧穿 光学特性 光双稳器件 半导体 光计算机
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摩擦处理的取向膜表面液晶分子取向度 被引量：3
2
作者 宣丽 乌日娜 +4 位作者 彭增辉 于涛 张力 阮圣平 内田龙男 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2002年第5期590-594,共5页
液晶取向问题是液晶器件中的最关键问题.定量分析了摩擦取向处理后,取向膜表面的液晶分子取向度,用红外二向色性吸收实验证实了取向膜表面的液晶分子取向度是液晶体内部的1/3～1/2.
关键词 液晶分子 取向膜 摩擦表面 取向度 液晶器件
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