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新型红色发光材料La3PO7∶Eu^3+的合成及发光性质研究 被引量:3
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作者 金叶 秦伟平 +4 位作者 张继森 王艳 曹春燕 张继双 任新光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2768-2771,共4页
用固相法合成了La3PO7∶Eu3+,用X射线衍射仪测定了其晶体结构,室温下用Hitachi F-4500测定了其光致发光性质。结果表明合成的La3PO7∶Eu3+属单斜相结构,Eu3+在单斜结构的La3PO7基质中占据非对称性格位。在254 nm光激发下,La3PO7∶Eu3+... 用固相法合成了La3PO7∶Eu3+,用X射线衍射仪测定了其晶体结构,室温下用Hitachi F-4500测定了其光致发光性质。结果表明合成的La3PO7∶Eu3+属单斜相结构,Eu3+在单斜结构的La3PO7基质中占据非对称性格位。在254 nm光激发下,La3PO7∶Eu3+发射出较强的红光,表明Eu3+的5D0→7F2跃迁强度远大于5D0→7F1的跃迁强度,其色坐标和Y2O3∶Eu3+的色坐标位置相近。另外,还研究了Eu3+在体相La3PO7材料中的猝灭浓度,发现当掺杂Eu3+浓度增大到7.6 mol%时,出现浓度猝灭。 展开更多
关键词 固相法 La3PO7∶Eu^3+ 红色发光材料
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离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质 被引量:3
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作者 刘玉学 刘益春 +3 位作者 申德振 钟国柱 范希武 孔祥贵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期445-450,共6页
利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火... 利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火时间条件下 ,得到了 (0 0 2 )择优取向镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子 ;而在 70 0℃退火温度、N2 和O2 气氛下顺次退火 1小时 ,得到了比上述条件 (0 0 2 )择优取向更好的ZnO纳米粒子。室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰。室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于 3 2 9eV处的强紫外发射 ,紫外发射强度与深能级发光强度之比为4 0 ,紫外发射峰的半高宽为 96meV ,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO。在低温 (77K)光致发光谱中 。 展开更多
关键词 后退火方法 制备 SiO2基质 结构 光学性质 离子注入 ZNO纳米粒子 光致发光 激子 氧化锌 二氧化硅基质
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摩擦强度对取向膜表面液晶取向度的影响 被引量:3
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作者 乌日娜 沈冰 +4 位作者 彭增辉 于涛 张力 阮圣平 宣丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期450-454,共5页
利用红外二向色性吸收实验,定量分析了不同摩擦强度的取向处理后取向膜表面的液晶分子取向度。实验结果表明,取向膜表面的液晶分子取向度随摩擦强度的增加而增加,最后达到饱和。取向膜表面的液晶分子取向度饱和值仍低于体内部,大约为体... 利用红外二向色性吸收实验,定量分析了不同摩擦强度的取向处理后取向膜表面的液晶分子取向度。实验结果表明,取向膜表面的液晶分子取向度随摩擦强度的增加而增加,最后达到饱和。取向膜表面的液晶分子取向度饱和值仍低于体内部,大约为体内部的1/2。液晶界面层的厚度不随摩擦强度变化,均为7nm左右,此值具有分子相干长度的物理意义。 展开更多
关键词 液晶 摩擦强度 取向膜表面 取向度 界面层
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红外二向色性法测量取向膜表面液晶界面层的取向度 被引量:2
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作者 宣丽 乌日娜 +3 位作者 彭增辉 于涛 张力 阮圣平 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期416-421,共6页
液晶分子的取向排列通常需取向膜诱导引发,但实验发现强摩擦处理的取向膜表面的液晶分子有序度远低于液晶体内部的有序度,大约为体内部的1/2。实验中采用楔形液晶盒,用较严谨的红外二向色性吸收定量分析了液晶层厚方向上的平均有序度随... 液晶分子的取向排列通常需取向膜诱导引发,但实验发现强摩擦处理的取向膜表面的液晶分子有序度远低于液晶体内部的有序度,大约为体内部的1/2。实验中采用楔形液晶盒,用较严谨的红外二向色性吸收定量分析了液晶层厚方向上的平均有序度随液晶层厚的变化,并通过这一结果的理论拟合,获得了取向膜表面的液晶分子取向有序度,同时获得了液晶界面层厚大约为7nm。这些结果说明液晶具有抵制外界微扰、自我修复分子取向度的能力,有助于对液晶排列机理的理解,也为研究新的取向方法提供了参照依据。 展开更多
关键词 红外二向色性法 测量 界面层 液晶 摩擦 取向膜表面 取向度 取向问题
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长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器 被引量:1
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作者 晏长岭 秦莉 +5 位作者 张淑敏 宁永强 王青 赵路民 刘云 王立军 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期565-570,共6页
新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3~1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL... 新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3~1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述。 展开更多
关键词 激光技术 长波长激光 GMnNAs 垂直腔面发射激光器(VCSEL)
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铕配合物OEL器件中激基复合物发光机制及消除 被引量:1
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作者 王东岳 李文连 +4 位作者 魏晗志 李明涛 初蓓 藏法欣 苏文明 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期672-674,共3页
It is generally believed that exciplex is formed at the interface between a acceptor and a donor, it is not a new species, and it has a transit excited state. Based on the concept, we discussed the formation process o... It is generally believed that exciplex is formed at the interface between a acceptor and a donor, it is not a new species, and it has a transit excited state. Based on the concept, we discussed the formation process of exciplex in organic electroluminescent (OEL) device with rareearth complex and considered that exciplex is also formed in the mixinglayer and it′s formation is the result from the interaction of singlet state of ligand and the holetransport material. Therefore, exciplex emission and the central ions emission of rareearth complex is an energy competition process. Therefore, it was resonable to understand that elimination of exciplex emission means enhance of the central ion emission of the rareearth complex through adjusting molar ratio of the two molecules. 展开更多
关键词 铕配合物 OEL器件 激基复合物 发光机制 有机电致发光 稀土配合物
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晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响 被引量:1
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作者 阎大伟 宋航 +7 位作者 缪国庆 于淑珍 蒋红 李志明 刘霞 曹连振 郭万国 孙晓娟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期309-313,共5页
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13~300K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0... 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13~300K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律。 展开更多
关键词 InAsxP1-x/InP 低压金属有机化学气相沉积 应力 变温光致发光
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含铕配合物的有机电致发光器件的光伏效应
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作者 王东岳 李文连 +4 位作者 魏晗志 李明涛 初蓓 藏法欣 苏文明 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期675-676,共2页
Organic electroluminescent device of europiumcomplex is fabricated with the structure of ITO/CuPc(4 nm)/TPD(20 nm)/TPD:(Eu0.5Gd0.5)(DBM)3bath(20 nm)(the weight ratio is 1∶3)/(Eu0.5Gd0.5)(D... Organic electroluminescent device of europiumcomplex is fabricated with the structure of ITO/CuPc(4 nm)/TPD(20 nm)/TPD:(Eu0.5Gd0.5)(DBM)3bath(20 nm)(the weight ratio is 1∶3)/(Eu0.5Gd0.5)(DBM)3bath(30 nm)/LiF(2 nm)/Al. The device not only can luminesce pure sharpband light under different dias and keep good luminescent performance(5.2 lm/A at the current density of 05 mA·cm-2) and 405 cd·m-2 at 14 V), but also can show good photovoltaic effect. Under UV light with 4 mW·cm-2 opencircuit voltage(Voc) is 1.37 V, shortcurrent density(Isc) is 39 μA·cm-2, fill factor(FF) is 0.21 and the overall power conversion efficiency is 028%, respectively. 展开更多
关键词 铕配合物 有机电致发光器件 光伏效应 发光学 电致发光
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Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响 被引量:11
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作者 王晓华 范希武 +4 位作者 李柄生 张吉英 刘益春 吕有明 申德振 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期783-786,共4页
用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的... 用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。 展开更多
关键词 SI衬底 钝化 ZNO薄膜 氮化 薄膜质量 等离子增强化学气相沉积
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