RF磁控溅射技术制备TiO_(2-x)N_x薄膜及组成和结构研究

利用RF磁控溅射技术(Ar,N2和O2混合气体,Ti金属靶)制备TiO2-xNx薄膜.用XRD和XPS对其结构和组成进行表征,结果表明:在实验系统中的N2含量在13%～17%之间,可以得到高质量的TiO2-xNx薄膜,β-N为TiO2-xNx薄膜的主要成分;不同含N量的TiO2-xNx薄膜的结构和组成的光学催化活性不同.

摩擦强度对取向膜表面液晶取向度的影响

利用红外二向色性吸收实验,定量分析了不同摩擦强度的取向处理后取向膜表面的液晶分子取向度。实验结果表明,取向膜表面的液晶分子取向度随摩擦强度的增加而增加,最后达到饱和。取向膜表面的液晶分子取向度饱和值仍低于体内部,大约为体内部的1/2。液晶界面层的厚度不随摩擦强度变化,均为7nm左右,此值具有分子相干长度的物理意义。

红外二向色性法测量取向膜表面液晶界面层的取向度

液晶分子的取向排列通常需取向膜诱导引发,但实验发现强摩擦处理的取向膜表面的液晶分子有序度远低于液晶体内部的有序度,大约为体内部的1/2。实验中采用楔形液晶盒,用较严谨的红外二向色性吸收定量分析了液晶层厚方向上的平均有序度随液晶层厚的变化,并通过这一结果的理论拟合,获得了取向膜表面的液晶分子取向有序度,同时获得了液晶界面层厚大约为7nm。这些结果说明液晶具有抵制外界微扰、自我修复分子取向度的能力,有助于对液晶排列机理的理解,也为研究新的取向方法提供了参照依据。

长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器

新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述。

铕配合物OEL器件中激基复合物发光机制及消除

It is generally believed that exciplex is formed at the interface between a acceptor and a donor, it is not a new species, and it has a transit excited state. Based on the concept, we discussed the formation process of exciplex in organic electroluminescent (OEL) device with rareearth complex and considered that exciplex is also formed in the mixinglayer and it′s formation is the result from the interaction of singlet state of ligand and the holetransport material. Therefore, exciplex emission and the central ions emission of rareearth complex is an energy competition process. Therefore, it was resonable to understand that elimination of exciplex emission means enhance of the central ion emission of the rareearth complex through adjusting molar ratio of the two molecules.

Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响

用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。