冷阴极电子源在微波器件上的应用

介绍了冷阴极电子源的研究进展和它们在现代微波器件和系统上的应用，并预测它们在这一方面应用的可能发展趋势．

超高真空中使用的高纯过渡金属蒸发源

设计了一种超高真空使用的低电流过渡金属蒸发源 ,它能产生高纯金属原子束 ,且具有一定的寿命。该蒸发源是将过渡金属Co,Ni或Cr电镀到一个由W丝弯成的U形加热器上构成的。装入超高真空中 ,利用W丝自身的电阻加热 ,去气后 ,可获得数小时的清洁蒸发。实验结果表明 ,在离蒸发源约 5cm处 ,其淀积速率最高可达 1 0nm/min ,总的淀积厚度超过 5 0 0nm ,而且Auger分析结果显示 ,在超高真空中淀积的上述几种过渡金属薄膜 ,其纯度相当高 ,杂质含量均小于仪器的检测灵敏度。

RTD与HBT单片集成研究

设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。

ZnO双晶纳米梳

以纯锌粉作为原料,用气相输运法在650℃合成了ZnO双晶纳米梳结构,并用高分辨透射电镜及选区电子衍射等方法对其微观结构进行了研究.结果表明双晶纳米梳两侧的齿针呈一定角度以孪晶方式对称生长,其孪晶面为(11-3),两侧齿针都垂直于孪晶界,其直径均匀分布在50—100nm,每一侧梳背和齿针的生长方向均分别为〈01-10〉和〈0001〉.由于孪晶造成了晶体取向的变化,基于镜像对称的特征,ZnO双晶纳米梳两侧梳背的外缘可以均为Zn终结的(0001)面,因此都可以发生自催化作用并形成分支结构,这种纳米结构的生长过程与王中林等人提出的极性生长机理相符合.