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Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附 被引量：4
1
作者 闫隆 张永平 +2 位作者 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期2132-2136,共5页
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si( 111) 7× 7表面上初期吸附过程 .在Ge所形成团簇中存在一个临界核 .这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中 .它们的电子结构具有类似半导体的性质 ,即其局域态密... 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si( 111) 7× 7表面上初期吸附过程 .在Ge所形成团簇中存在一个临界核 .这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中 .它们的电子结构具有类似半导体的性质 ,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大 ,而在费米面附近的能级处非常小 . 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 Si(111)7×7表面 Ge团簇 选择性吸附 费米面
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