单层FeSe薄膜/氧化物界面高温超导

单层FeSe/SrTiO_3界面增强超导的发现为理解高温超导机理提供了一个新的途径,也为实现新的高温超导体开拓了新思路.本文通过在SrTiO_3(001)表面高温沉积Mg进而沉积单层FeSe薄膜,制备出了FeSe/MgO双层/SrTiO_3异质结.利用扫描隧道显微镜研究了异质结的电学及超导特性,观测到约14-15 meV的超导能隙,比体相FeSe超导能隙值增大了5—6倍,与K掺杂双层FeSe/SrTiO_3的超导能隙值相当.这一结果可理解为能带弯曲造成的界面电荷转移和界面处电声耦合共同作用导致的超导增强.FeSe/MgO界面是继FeSe/TiO_2之后的一个新界面超导体系,为研究界面高温超导机理提供了新载体.