双层钙钛矿(Sr_(2-x)Ba_x)FeMoO_6的结构和电磁性能研究

利用X射线粉末衍射、R ietve ld结构精修技术及电、磁测试等手段分别对(S r2-xB ax)F eM oO6(0≤x≤2)的晶体结构及电磁性质进行了研究。研究结果表明:对于掺杂含量x≤1.6的(S r2-xB ax)F eM oO6样品,其电阻率温度关系呈金属性,而对于掺杂含量x≥1.7的样品,其电阻率温度关系呈半导体性。居里温度TC在x=0.4处出现极大值。

整数阶复宗量贝塞尔函数的计算程序研究

鉴于目前的算法程序集中没有现成的计算复宗量贝塞尔函数的程序,本文基于贝塞尔函数的逆向递推关系编写了计算整数阶复宗量第一类贝塞尔函数的Fortran程序源代码与Matlab软件的计算结果比较,两者至少有12位有效数字一致.接着运用此程序,分析了徐士良的《FORTRAN常用算法程序集》中的纯虚宗量的贝塞尔函数,即变形贝塞尔函数程序的准确度,发现其准确度为6位有效数字.最后,对基于实宗量贝塞尔函数和纯虚宗量贝塞尔函数相乘然后用无限求和来计算复宗量贝塞尔函数值的方法的准确性进行了探讨.证明其仅能对有限的贝塞尔函数进行准确计算.这是由于当求和项中有远大于最终的求和项时,会导致求和结果的有效数字减少甚至完全错误.

利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)

采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。

气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光

利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。

不同核轴取向的O_2的高次谐波

分子的高次谐波是强场超快物理的重要研究课题.采用建立在形式散射理论基础上的频域方法计算了O_2在线偏振激光场下的高次谐波,探讨了核轴被准直在与激光传输方向垂直的平面内时,高次谐波随核轴与光电场偏振方向所成夹角θ_0的依赖关系.结果表明:各次谐波都是在θ_0约为45?时强度最大,并有较宽的峰值宽度;当偏离此角度,高次谐波的强度变小;到达平行或垂直取向时,降到最低.分析表明,这是由于高次谐波的强度取决于分子基态的电子在动量空间中的电场方向的布居.针对核轴被准直在激光传输方向与电场偏振方向所确定的平面内的情况,计算了高次谐波随θ_0的依赖关系,结果与前一种情况基本相同.分析发现,当核轴被准直固定后,分子绕核轴旋转的角度φ没有固定,所以最后的高次谐波强度需要对不同的φ时的高次谐波的贡献求和平均.平均后相当于波函数相对于核轴旋转对称,从而导致O_2的高次谐波仅与θ_0有关,而与核轴被准直在哪个面上无关.

直剪颗粒体系的尺寸效应研究

本文通过改变直剪盒内高精度球形玻璃珠粒径、直剪盒厚度和长度的比例关系来观察体系剪切应力同试样边界条件的关系.发现随着玻璃珠粒径的减小样品所能承受的剪切应力会略微减小,而直剪盒长度的减小也会导致剪切应力的下降.实验结果表明直剪盒长度不足35倍颗粒粒径或者其厚度小于0.5倍直剪盒长度的时候,直剪实验具有明显的尺寸效应,现行的直剪实验指导标准应当予以修正.