期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文） 被引量：1
1
作者 孙庆灵 王禄 +6 位作者 姚官生 曹先存 王文奇 孙令 王文新 贾海强 陈弘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期386-388,共3页
采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.
关键词 分子束外延(MBE) 铟砷锑 组分控制
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部